公开(公告)号：CN106486449B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201610550457.9

申请日：2016-07-13

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  三苫修一 ,  滨本拓也

IPC: H01L23/49

Abstract: 本发明提供一种球焊用金(Au)分散铜线，其可形成稳定的熔融焊球，以解决量产接合线的FAB造成熔融焊球的形成不稳定的问题。本发明的球焊用金(Au)分散铜线，其特征为：其是在铜(Cu)的纯度为99.9质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成钯(Pd)被覆层及金(Au)表皮层、线径为10‑25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，以该金(Au)的化学分析得到的理论膜厚为0.1纳米(nm)以上10纳米(nm)以下，以电子微探仪(EPMA)的表面分析所得到的金(Au)的分布是：该金(Au)微粒子以无数点状分布于该钯(Pd)被覆层上。

公开(公告)号：CN103295993B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310223610.3

申请日：2013-06-06

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  三上道孝 ,  冈崎纯一 ,  滨本拓也 ,  中岛伸一郎 ,  山下勉 ,  三苫修一 ,  小野甲介 ,  刘斌 ,  执行裕之

IPC: H01L23/49 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。

公开(公告)号：CN105405828A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410468025.4

申请日：2014-09-15

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 三上道孝 ,  天野裕之 ,  滨本拓也 ,  三苫修一 ,  执行裕之 ,  中岛伸一郎 ,  刘斌

IPC: H01L23/49 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04

Abstract: 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分如下，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。

公开(公告)号：CN119866539A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202380065618.3

申请日：2023-09-13

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 三苫修一 ,  中岛伸一郎 ,  梁井博文

IPC: H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供一种铜接合线，其能够提高切断性以及接合强度和追随性，抑制金属线的剥离和偏离工具。一种铜接合线，其是由铜的纯度为99.99质量％以上的铜合金构成的铜金属线，所述铜金属线的与线轴垂直的方向的截面中的晶界密度为0.01μm‑1以上且小于0.6μm‑1，在所述截面中的线轴方向的晶体取向中，相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率除以相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率而得到的值为10以上且650以下，动态硬度为45以上且90以下，并且所述截面中的弹性模量为20GPa以上且70GPa以下。

公开(公告)号：CN105914195B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201610024309.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  滨本拓也 ,  永江祐佳 ,  崎田雄祐 ,  三苫修一 ,  高田满生 ,  桑原岳

IPC: H01L23/49

Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。

公开(公告)号：CN105914195A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610024309.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  滨本拓也 ,  永江祐佳 ,  崎田雄祐 ,  三苫修一 ,  高田满生 ,  桑原岳

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/78601 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/1204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。

公开(公告)号：CN1169202C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN01121320.5

申请日：2001-05-31

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 村井博 ,  三苫修一 ,  德山威吏 ,  本村光友

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  C22C5/02

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  C22C5/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45694 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体元件连接用金线和半导体元件的连接方法。该金线中包含5～100质量ppm的Ca、5～100质量ppm的Gd、1～100质量ppm的Y，优选还含有1～100质量ppm的Eu、La、Ce和Lu中的至少一种，更优选地还含有1～100质量ppm的Mg、Ti、Pb中的至少一种，这些元素的总量在200质量ppm以下，其余为金和不可避免的杂质。该半导体元件的连接方法用该金线进行球键合和凸点键合。

公开(公告)号：CN116848623A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280011513.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 田中电子工业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 三苫修一 ,  市川司 ,  浦地刚史 ,  柳本辰则 ,  中岛泰

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。

公开(公告)号：CN106486447B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201610390155.X

申请日：2016-06-03

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  三苫修一 ,  滨本拓也

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供了一种铜合金接合线，其单位剖面积的铜合金的晶粒为50‑250个，其最大粒径为接合线直径的1/3以下，且为特定方向皆在40％以下的无方向性。

公开(公告)号：CN105390463B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201410419908.6

申请日：2014-08-22

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  三上道孝 ,  冈崎纯一 ,  滨本拓也 ,  中岛伸一郎 ,  山下勉 ,  三苫修一 ,  小野甲介 ,  刘斌 ,  执行裕之

IPC: H01L23/48 ,  B32B15/02 ,  B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C22C9/06

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01012

Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。