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公开(公告)号：CN119866539A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065618.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜接合线，其能够提高切断性以及接合强度和追随性，抑制金属线的剥离和偏离工具。一种铜接合线，其是由铜的纯度为99.99质量％以上的铜合金构成的铜金属线，所述铜金属线的与线轴垂直的方向的截面中的晶界密度为0.01μm‑1以上且小于0.6μm‑1，在所述截面中的线轴方向的晶体取向中，相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率除以相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率而得到的值为10以上且650以下，动态硬度为45以上且90以下，并且所述截面中的弹性模量为20GPa以上且70GPa以下。
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公开(公告)号：CN102326242B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080008770.0
申请日：2010-11-05
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/43 , C22C21/00 , H01L24/45 , H01L2224/43 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01204 , Y10T428/31678 , H01L2924/01205 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01003 , H01L2924/01004 , H01L2924/01039 , H01L2224/48 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明的课题是提供超声波焊接用铝带材，即使进行几万次接合其也能够保持高的焊接接合强度和规定的接合强度。作为解决手段，为一种超声波焊接用铝带材，其包含金属铝或铝基合金，该铝的纯度为99.99质量％以上，并且在铝带材的镜面光泽面上蒸发干燥粘着有分子量为500以下的非离子性表面活性剂，该非离子性表面活性剂的有机碳总量为100-1000微克/平方米。
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公开(公告)号：CN105405828B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410468025.4
申请日：2014-09-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分包括，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：CN104164591B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410206059.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00013 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H2，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H2而发生的晶间腐蚀。
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公开(公告)号：CN103715111B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
Abstract: 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103276255B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310195539.2
申请日：2013-05-23
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/01204 , H01L2924/01026 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于连接至半导体装置的铝合金线。[目标]提高Al合金接合线的耐热冲击性并且还防止芯片破裂。[解决问题的手段]该线含有0.2-2.0质量％的铁(Fe)和纯度为99.99质量％以上的余量的铝，其中铁以0.01-0.05％溶解在铝基体中，并且如在所述铝合金线的横截面上观察的，所述拉伸后的基体组织具有数微米量级的均匀的微细再结晶图案，并且Fe-Al金属间化合物粒子在边界和所述微细再结晶组织的内部均匀地结晶。对高度变形的Al进行固溶热处理以便将Fe溶解至大约其固溶度极限，并且上述组织通过调质热处理获得。在超声波线接合的过程中，所述线变形并且经历动态再结晶，并且因此将其在不经历加工硬化的情况下压力接合。
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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN103283009A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280002217.5
申请日：2012-10-18
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/01204 , H01L2924/01206 , H01L2924/01046 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/01007 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/20756 , H01L2924/01205 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01016 , H01L2924/00013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。
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