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公开(公告)号：CN103295993B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要： 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN103715111A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024 , H01L24/43 , H01L24/45
摘要： 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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公开(公告)号：CN103715111B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
摘要： 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
摘要： 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
摘要： 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要： 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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