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公开(公告)号：CN105914195B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN105914195A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/01015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/1204 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN106486447B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201610390155.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种铜合金接合线，其单位剖面积的铜合金的晶粒为50‑250个，其最大粒径为接合线直径的1/3以下，且为特定方向皆在40％以下的无方向性。
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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241237A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265987.X
申请日：2014-06-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供即使变更镀覆铜丝的镀覆材料或者芯材种类和线径也可以不单独设定键合条件就稳定地进行超声波键合、且超声波键合时的工艺窗口范围广的超声波键合用镀覆铜丝结构。本发明的结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该键合丝长度方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN104241237B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410265987.X
申请日：2014-06-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供即使变更镀覆铜丝的镀覆材料或者芯材种类和线径也可以不单独设定键合条件就稳定地进行超声波键合、且超声波键合时的工艺窗口范围广的超声波键合用镀覆铜丝结构。本发明的结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该键合丝长度方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。
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公开(公告)号：CN106475701A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610232338.9
申请日：2016-04-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45015 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/78301 , H01L2224/85439 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/20752 , H01L2924/20751 , H01L24/43 , B23K35/0227 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047
Abstract: 本发明提供了一种球焊用铜合金细线，其特征为由下述成分所构成：金(Au)的含量为100质量ppm以上3,000质量ppm以下、银(Ag)的含量为10质量ppm以上1,000质量ppm以下、磷(P)的含量为5质量ppm以上200质量ppm以下、其他非金属元素的总量为100质量ppm以下及剩余部份为铜(Cu)；且金(Au)相对于磷(P)的质量比为2以上100以下。本发明通过调节掺合比例而提高杨氏系数的铜合金接合线。本发明的球焊用铜合金细线，在第二接合后直接将线材向上拉起以切断时，能够避免尾线在焊针内弯曲或线材前端弯曲。
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公开(公告)号：CN105914156A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610096834.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01015 , H01L24/42
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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