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公开(公告)号：CN105428264A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510462877.7
申请日：2015-07-31
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井诚
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/97 , H01L23/057 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/78315 , H01L2224/7855 , H01L2224/78611 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85947 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/2076 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L24/85 , H01L2224/85909
摘要： 本发明提供一种能够抑制在切断的引线上产生尖端的半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中执行的引线键合工序中，对接合于导电性部件(1)的引线(2)的接合区域(3)以外的切断位置(4)进行半切断而形成切口(5)，使切口(5)振动以在切断位置(4)切断引线(2)。由于引线(2)被半切断，因此能够降低切断时对导电性部件(1)的损伤。另外，通过使形成于引线(2)的切口(5)振动，从而切口(5)的附近产生疲劳，引线(2)因来自切口(5)的断裂而切断。因此，能够抑制在引线(2)的切断面(2a)产生(至少朝向导电性部件(1)侧的)尖端。
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公开(公告)号：CN100339986C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03120225.X
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105428264B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510462877.7
申请日：2015-07-31
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井诚
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/97 , H01L23/057 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/78315 , H01L2224/7855 , H01L2224/78611 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85947 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/2076 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种能够抑制在切断的引线上产生尖端的半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中执行的引线键合工序中，对接合于导电性部件(1)的引线(2)的接合区域(3)以外的切断位置(4)进行半切断而形成切口(5)，使切口(5)振动以在切断位置(4)切断引线(2)。由于引线(2)被半切断，因此能够降低切断时对导电性部件(1)的损伤。另外，通过使形成于引线(2)的切口(5)振动，从而切口(5)的附近产生疲劳，引线(2)因来自切口(5)的断裂而切断。因此，能够抑制在引线(2)的切断面(2a)产生(至少朝向导电性部件(1)侧的)尖端。
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公开(公告)号：CN100508152C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710008189.9
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC分类号： H01L21/607 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101043012A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710008189.9
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC分类号： H01L21/607 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103962714A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043880.0
申请日：2014-01-29
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： L·李 , S·科欧 , K·L·梅塔格 , P·P·帕里克 , J·R·欧康斯基 , M·A·赫伦丁 , J·W·赫恩 , R·L·希普韦尔 , J·J·斯戈布尔 , J·L·伊贝尔 , R·玛卡特 , E·纳特森
IPC分类号： B23K20/10 , H05K3/34 , H01L21/607
CPC分类号： G11B5/102 , G11B5/3169 , G11B5/3173 , G11B5/4826 , G11B2005/0021 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/85012 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2924/12042 , H01L2924/20751 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20309 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , B23K20/10
摘要： 本申请公开了环境温度的球焊接头。本公开的技术描述了使用超声波焊接能量但未对下层焊垫进行加热的条件下，使用直径小于0.001英寸的金引线来获得球焊接头的系统和方法。所述的球焊接头允许使用特别小的焊垫，该焊垫与相邻的微电子器件结构特别接近，而这限制了具有浅的离源角的其他焊接技术的使用。
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公开(公告)号：CN101821853B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880111016.2
申请日：2008-09-19
申请人： 三垦电气株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。
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公开(公告)号：CN101821853A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111016.2
申请日：2008-09-19
申请人： 三垦电气株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。
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公开(公告)号：CN1444272A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120225.X
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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