发明授权
CN100508152C 半导体器件制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件制造方法
- 专利标题（英）： Manufacture method of semiconductor device
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申请号： CN200710008189.9申请日： 2003-03-07
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公开(公告)号： CN100508152C公开(公告)日： 2009-07-01
- 发明人: 中岛靖之 , 守田俊章 , 松泽朝夫 , 友井晴一 , 川邉直树
- 申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 张浩
- 优先权： 061765/2002 2002.03.07 JP
- 分案原申请号： 03120225X
- 主分类号： H01L21/607
- IPC分类号： H01L21/607 ; H01L21/60
摘要：
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
公开/授权文献
- CN101043012A 半导体器件制造方法 公开/授权日：2007-09-26
IPC分类:
