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公开(公告)号：CN104183558B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410208488.7
申请日：2014-05-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/50 , H01L23/047 , H01L23/057 , H01L23/315 , H01L23/34 , H01L23/66 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4909 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H04B1/44 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/01204
摘要： 半导体封装包括衬底、附接到衬底的第一侧的RF半导体裸片、附接到衬底的第一侧的电容器和在衬底的第一侧上的第一端子。半导体封装进一步包括将第一端子连接到RF半导体裸片的输出的铜或铝键合接线或带以及将电容器连接到RF半导体裸片的输出的金键合接线或带。金键合接线或带被设计用于与铜或铝键合接线或带相比在RF半导体裸片的操作期间适应更高的RF焦耳加热。也描述了对应的制造方法。
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公开(公告)号：CN102339802B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110317683.X
申请日：2009-07-21
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/482
CPC分类号： H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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公开(公告)号：CN101636830B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200780052298.9
申请日：2007-09-27
发明人： 中里功
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/4952 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48511 , H01L2224/48599 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85423 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种薄型半导体装置及其制造方法，该半导体装置使金属细线的环路高度比现有的更低。本发明的半导体装置采用如下结构，即经由金属细线(51)将半导体芯片(54)的接合垫(55)和电极(53B)连接。所述金属细线(51)从第一接合点描绘弯曲部(57)，且经由弯曲部(57)端部的曲折部(59)而具有直线状的第二延伸部(60)。
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公开(公告)号：CN101794758B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010002087.8
申请日：2010-01-11
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78703 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83205 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明提供一种半导体器件。通过销钉加工在源极引线(14)上设置突起(7)，以在突起(7)上连接接合线(4)时防止超声波衰减为目的，在源极引线(14)的背面的凹部(20)设置支柱(16)，从而防止接合线(4)与源极引线(14)的连接强度不够。另外，围绕源极引线(14)和接合线(4)的连接部而在突起(7)上设置连续的台阶(17)，防止由树脂(6)和源极引线(14)的分离引起的接合线(4)的断线。根据本发明，能够使用可简单加工且廉价制造的装置来实现防止由树脂(6)和引线框的界面分离引起的接合线(4)的断线、以及连接强度的提高。
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公开(公告)号：CN101803013B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880106288.3
申请日：2008-09-12
申请人： 丰田自动车株式会社
发明人： 田中宏明
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L24/85 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/7397 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48458 , H01L2224/4846 , H01L2224/48471 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/78313 , H01L2224/78318 , H01L2224/85181 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体装置(2)，包括：场限环(FLR)(65)，其布置在半导体基板上，以便将所述半导体基板划分成内部区域和外部区域；第一焊接盘(24a至24d)，其布置在所述内部区域中，并且通过一端连接到外部电路上的导线(14a至14d)而连接到所述外部电路上；以及第二焊接盘(26a至26d)，其布置在所述外部区域中，并且所述导线的另一端被焊接在所述第二焊接盘上。
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公开(公告)号：CN101794758A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010002087.8
申请日：2010-01-11
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78703 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83205 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明提供一种半导体器件。通过销钉加工在源极引线(14)上设置突起(7)，以在突起(7)上连接接合线(4)时防止超声波衰减为目的，在源极引线(14)的背面的凹部(20)设置支柱(16)，从而防止接合线(4)与源极引线(14)的连接强度不够。另外，围绕源极引线(14)和接合线(4)的连接部而在突起(7)上设置连续的台阶(17)，防止由树脂(6)和源极引线(14)的分离引起的接合线(4)的断线。根据本发明，能够使用可简单加工且廉价制造的装置来实现防止由树脂(6)和引线框的界面分离引起的接合线(4)的断线、以及连接强度的提高。
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公开(公告)号：CN100576477C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610142387.X
申请日：2006-10-11
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 威廉·F·博格奥特 , 弗朗西斯·J·卡尔尼 , 乔斯弗·K·弗蒂 , 詹姆斯·P·莱特曼 , 杰·A·尤德
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/561 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 一种用于形成有引脚模块阵列封装的方法，在一种实施方案中，包括将引脚框架组件放置到具有引脚腔的成型装置中。该方法还包括在引脚框架组件中的导电引脚和引脚腔之间形成密封，以及灌封引脚框架组件以形成模块阵列组件。然后，将模块阵列组件分离成单独的有引脚模块封装。
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公开(公告)号：CN101587849A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910149767.X
申请日：2009-04-03
申请人： 捷敏服务公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/48 , H01L23/13 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/40245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48699 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T29/49124 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： 本发明的实施例涉及使用冲压工艺在半导体器件封装的引线框架上形成特征。在一个实施例中，引线框架的一部分诸如管脚通过冲压移动至管芯焊盘的水平平面之外。在某些实施例中，通过冲压可以使得管脚和/或管芯焊盘的一部分具有凹部或者复杂横截面轮廓，例如带倒角的轮廓。通过这种冲压形成的横截面轮廓所提供的复杂度可以用来提高引线框架在封装体的塑料模制体内的机械结合。其它技术(例如选择性地电镀和/或形成棕色氧化保护带以限制在管芯装配时粘附材料的扩展)可以单独和组合使用以便于生产具有这种冲压特征的封装。
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公开(公告)号：CN101548377A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200680027775.1
申请日：2006-07-25
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L23/50 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73207 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体封装(10)，使用了多个在密封体(16)内从管芯(14)上的一个或多个热结合焊盘(22，24，26)向上延伸的热导体(56－64)进行散热。热导体可以是结合引线或导热柱形凸起，并且不延伸出管芯的侧边。热导体中的一个或多个可以在密封体中接成环路并暴露在密封体的上表面。一种形式中，散热器(68)叠置在密封体上以进一步的移除热量。在另外一种形式中，散热器作为电源或接地端直接通过热导体与管芯内部节点相接。有源结合焊盘可以专门沿着管芯边缘放置或者还包含在管芯内部。
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公开(公告)号：CN101425494A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810168562.1
申请日：2008-09-26
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/64 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/37099
摘要： 本发明提出一种用于低寄生阻抗封装的顶部焊料加强的半导体器件及方法。该顶部焊料器件包括带有图案化为接触区域和接触加强区域的顶部金属层的器件芯片。至少一个接触区域电连接到至少一个接触加强区域。每一个接触加强区域的顶部为用以增加复合厚度从而降低寄生阻抗的焊料层。制造顶部焊料器件的方法包括：a)通过光刻将顶部金属层图案化为接触区域和接触加强区域；b)使用模板印刷工艺在每一个接触加强区域的顶部形成焊料层以增加复合厚度。本发明的优点在于所提供的器件和方法使用标准的芯片层级的加工工艺，可以有效降低成本。
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