Invention Grant
- Patent Title: 电极为金属合金的半导体器件
- Patent Title (English): Semiconductor device having metal alloy for electrode
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Application No.: CN98107066.3Application Date: 1998-02-21
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Publication No.: CN1113412CPublication Date: 2003-07-02
- Inventor: 铃木功一 , 佐藤定信 , 山下由美子
- Applicant: 法梭半导体
- Applicant Address: 日本神奈川县川崎市
- Assignee: 法梭半导体
- Current Assignee: 日本大阪府大阪市中央区南船场2丁目10番14号
- Current Assignee Address: 日本神奈川县川崎市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 傅康; 王忠忠
- Priority: 37338/1997 1997.02.21 JP
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/28 ; H01L21/60 ; H01B1/02
Abstract:
用于半导体器件的由第一和第二金属层组成的金属合金中，所述第一金属层由铜和铝组成，其中铜大约占0.1-10重量百分比，其余部分基本上为铝，而第二金属层由钯和金组成，其中钯大约占0.5-5重量百分比，其余部分基本上为金。
Public/Granted literature
- CN1197291A 电极为金属合金的半导体器件 Public/Granted day:1998-10-28
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IPC分类:
