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公开(公告)号：CN104425289B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310410954.5
申请日：2013-09-11
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: B23K3/082 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K3/063 , B23K3/08 , B23K2101/42 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/2733 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/7565 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种用于将半导体晶粒安装在衬底上的晶粒安装装置，该衬底具有金属表面，该装置包含有：材料滴涂平台，其用于将键合材料滴涂在衬底上；晶粒安装平台，其用于将半导体晶粒放置在已经滴涂在衬底上的键合材料中；以及活化气体产生器，其设置在晶粒安装平台前侧，以将激发的混合气体引导在衬底上，而便于还原衬底上的氧化物。
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公开(公告)号：CN104241147A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310236301.X
申请日：2013-06-14
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/2733 , H01L2924/01013 , H01L2924/01032
Abstract: 本发明提供一种基于铝锗共晶的低温键合方法，其包括制备上基板，其中上基板包括基板材料和形成于基板材料上的键合层材料，所述键合层材料为铝或锗的单层或多层膜；制备下基板，其中下基板包括基板材料和形成于基板材料上的键合层材料，所述键合层材料为铝或锗的单层或多层膜；将上基板与下基板对准进行低温键合。本发明的方法，以铝和锗为中间键合层材料，其中铝和锗材料与CMOS工艺兼容,不仅可以用作键合材料，同时也可以用作导电材料，而且键合中会先形成液态的铝锗合金，可以消除键合表面粗糙度的影响。
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公开(公告)号：CN104425289A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310410954.5
申请日：2013-09-11
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: B23K3/082 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K3/063 , B23K3/08 , B23K2101/42 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/2733 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/7565 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种用于将半导体晶粒安装在衬底上的晶粒安装装置，该衬底具有金属表面，该装置包含有：材料滴涂平台，其用于将键合材料滴涂在衬底上；晶粒安装平台，其用于将半导体晶粒放置在已经滴涂在衬底上的键合材料中；以及活化气体产生器，其设置在晶粒安装平台前侧，以将激发的混合气体引导在衬底上，而便于还原衬底上的氧化物。
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公开(公告)号：CN103887183A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210562498.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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公开(公告)号：CN103155127B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180049406.3
申请日：2011-10-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L24/30 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C1/0483 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/4827 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/2733 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83065 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/00015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , B22F1/0003 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103521871A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310269081.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 贝思瑞士股份公司
Inventor： 海因里希·贝希托尔德 , 勒内·贝特沙特
IPC: B23K3/06 , H01L21/607
CPC classification number: B23K3/063 , B23K1/06 , B23K1/20 , B23K3/025 , B23K3/04 , B23K3/085 , B23K20/10 , H01L23/49513 , H01L24/03 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/2731 , H01L2224/2733 , H01L2224/27334 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2924/00011 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/83205
Abstract: 用于在基板上分配无焊剂焊料的方法和设备，设备包括具有冲压部(5)的分配头(2)，能将超声施加到冲压部(5)。通过下列步骤分配焊料：A)将分配头(2)移动至下一个基板场所上方；B)使所述冲压部(5)下降直至冲压部(5)的工作面(11)接触基板场所或位于基板场所上方的预定高度处；C)通过下列步骤分配焊料：C1)使焊丝(8)前进直至焊丝(8)接触基板场所，其方式使得焊丝(8)的尖端接触位于冲压部(5)的凹部(12)内的基板场所；C2)使焊丝(8)进一步前进以熔化预定量的焊料；和C3)缩回所述焊丝(8)；D)移动分配头(2)以在基板场所上散布焊料，并且同时对冲压部(5)施加超声；和E)提升冲压部(5)。
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公开(公告)号：CN103155127A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049406.3
申请日：2011-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/30 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C1/0483 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/4827 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/2733 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83065 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/00015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , B22F1/0003 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。
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公开(公告)号：CN102484083A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039678.0
申请日：2010-09-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 安永尚司
CPC classification number: H01L24/73 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/05554 , H01L2224/27013 , H01L2224/2733 , H01L2224/29034 , H01L2224/32057 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4554 , H01L2224/48011 , H01L2224/4805 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 半导体装置包括：半导体芯片；配置于半导体芯片的侧方的引脚；以及引线，该引线的一端以及另一端分别与半导体芯片以及引脚接合，且在半导体芯片以及引脚上分别具有球珠部以及侧视楔形的针脚部。引线相对于引脚的进入角度为50°以上，针脚部的长度为33μm以上。
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公开(公告)号：CN105247666B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480029861.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/49 , B23K20/004 , B23K35/3006 , C22C5/06 , H01L23/49 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/26175 , H01L2224/2733 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/32507 , H01L2224/4501 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/48225 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/49173 , H01L2224/83011 , H01L2224/83014 , H01L2224/8309 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/85801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。
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公开(公告)号：CN103887183B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201210562498.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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