公开(公告)号：CN103155127B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180049406.3

申请日：2011-10-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中村太一 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  石丸幸宏

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H01L24/30 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/018 ,  C22C1/0483 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  B22F1/0003 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。