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公开(公告)号：CN119255876A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380044650.3
申请日：2023-05-22
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 接合材料包含：焊料合金，其中值粒径D50为100nm～2000nm，由Sn、Bi、In和其他不可避免成分构成，熔点为100℃以下；金属纳米粒子，其为中值粒径D50为50nm～500nm的Cu纳米粒子；以及助焊剂，金属纳米粒子在其表面具有在比焊料合金的熔点高且低于100℃的温度脱离的保护膜，焊料合金与金属纳米粒子的重量比率是在平衡状态图中焊料合金中含有的Sn、In全部成为与金属纳米粒子的金属间化合物的比率。
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公开(公告)号：CN111033703B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201980003873.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 使用了一种安装结构体，其包含：半导体元件，其具有元件电极；金属构件；以及烧结体，其将上述半导体元件和上述金属构件接合，上述烧结体包含：第一金属、以及在上述第一金属中固溶的第二金属，上述第二金属是在上述第一金属中的扩散系数大于上述第一金属的自扩散系数的金属，相对于上述烧结体中的上述第一金属以及上述第二金属的质量合计的上述第二金属的含有率是上述第二金属向上述第一金属的固溶极限以下。
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公开(公告)号：CN104668809B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410699788.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0222 , B23K35/26 , B23K35/40 , C22C13/00 , H05K1/11 , H05K1/111 , H05K1/18 , H05K3/244 , H05K3/3463 , H05K2201/0338 , H05K2201/10909
Abstract: 焊料材料是用于具有包含P的Ni镀膜的Au电极的焊接的焊料材料，其中，将Ag、Bi、Cu、In的含有率(质量％)分别设为[Ag]、[Bi]、[Cu]、[In]时，包含0.3≤[Ag]≤4.0的Ag、0≤[Bi]≤1.0的Bi、和0＜[Cu]≤1.2的Cu。在0＜[Cu]＜0.5的范围内，包含6.0≤[In]≤6.8的范围内的In。在0.5≤[Cu]≤1.0的范围内，包含5.2+(6－(1.55×[Cu]+4.428))≤[In]≤6.8的范围内的In。在1.0＜[Cu]≤1.2的范围内，包含5.2≤[In]≤6.8的范围内的In。余部仅为87质量％以上的Sn。
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公开(公告)号：CN105682374A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510725892.6
申请日：2015-10-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H01L24/17 , B23K35/0244 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01B1/02 , H01L24/14 , H01L2224/11 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0135 , H01L2924/014 , H05K3/3457 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明的安装结构体具备：具有BGA电极的BGA；具有电路基板电极的电路基板；配置在电路基板电极上、与BGA电极连接的钎焊接合部。钎焊接合部包含：含有率为0.6质量％以上且1.2质量％以下的Cu；含有率为3.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag；含有率为0质量％以上且1.0质量％以下的Bi；In；Sn。In的含有率的范围根据Cu的含有率而有所不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108857133A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810370341.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明在具有大面积的接合的安装构造体中，提供一种具有能够耐受由于基于反复温度变化的热应力而产生的龟裂的进展的接合的安装构造体。安装构造体是通过层叠体来将陶瓷基板的陶瓷基板电极与金属基板的金属基板电极接合的安装构造体，层叠体从陶瓷基板电极向金属基板电极，按照第1界面层、第1焊料接合部、第2界面层、第1缓冲件电极、缓冲件、第2缓冲件电极、第3界面层、第2焊料接合部以及第4界面层的顺序而被层叠，层叠体的厚度为30μm以上且100μm以下，第1焊料接合部的厚度与第2焊料接合部的厚度的差为25％以内，第1焊料接合部与缓冲件的弹性率的差以及第1焊料接合部与缓冲件的线膨胀系数的差分别为62％以内。
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公开(公告)号：CN108172559A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201710967563.1
申请日：2017-10-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/0233 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/488 , H01L2224/29083 , H01L2224/29209 , H01L2224/29211 , H01L2224/29213 , H01L2224/29217 , H01L2224/29239 , H01L2224/29247 , H01L2224/29255 , H01L2224/29257 , H01L2924/014 , H01L2924/3512 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29311 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供一种耐受因接合面积大而产生的大的热应力、抑制因反复温度变化引起的龟裂的发生和发展的安装结构体。本发明的安装结构体，是2个构件通过在与所述2个构件的界面处分别具有第1界面层和第2界面层的接合材料层进行接合而得的安装结构体，所述接合材料层包含第1金属间化合物和应力缓和物，所述第1金属间化合物具有球状、柱状和椭球状中的任一种形状并具有与所述第1界面层和所述第2界面层相同的晶体结构，并且所述第1金属间化合物闭塞所述第1界面层和所述第2界面层之间的一部分，所述应力缓和物填充所述第1金属间化合物的周围并以Sn为主成分。
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公开(公告)号：CN106715040A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201680002769.4
申请日：2016-04-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种焊料合金，其含有：0.5质量％以上且1.25质量％以下的Sb、满足以下的In：在0.5≤[Sb]≤1.0的情况下，5.5≤[In]≤5.50+1.06[Sb]；在1.0＜[Sb]≤1.25的情况下，5.5≤[In]≤6.35+0.212[Sb](式中，[Sb]表示Sb含有率(质量％)，[In]表示In含有率(质量％))、0.5质量％以上且1.2质量％以下的Cu、0.1质量％以上且3.0质量％以下的Bi、和1.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag，余量由Sn构成。
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公开(公告)号：CN104668570A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410699648.2
申请日：2014-11-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使粒度分布的幅度变窄地制造含有In的无铅焊料合金粉的制造方法。将含有Ag 3.0～4.0质量％、Bi0.1～1.0质量％、In 4.0～8.0质量％、Cu 0.25～1.0质量％、并且余量中除去不可避免的杂质为Sn的熔液，供给于旋转的盘上，使其凭借离心力进行喷雾而粉末化。
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公开(公告)号：CN108857136A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810412732.X
申请日：2018-05-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: B23K35/26
Abstract: 一种焊料合金，其中，Sb的含有率为3wt％以上且30wt％以下，Te的含有率为0.01wt％以上且1.5wt％以下，Au的含有率为0.005wt％以上且1wt％以下，所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者，Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt％以上且20wt％以下，并且Ag与Cu的含有率之和为0.1wt％以上且20wt％以下，余量为Sn。
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