一种大功率IGBT模块封装结构

    公开(公告)号:CN103035587A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210530554.3

    申请日:2012-12-11

    Abstract: 本发明提供一种大功率IGBT模块封装结构,所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线;所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布,所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接,所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部,所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连,所述控制电极通过环氧树脂层紧固,其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。本发明通过增加环氧树脂层增加了IGBT模块的气密性,同时对控制电极可起到紧固支撑的作用,从而简化了控制电极结构,同时便于覆铜陶瓷基板上半导体芯片的布局设计。

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