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公开(公告)号:CN104425289A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201310410954.5
申请日:2013-09-11
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: B23K3/082 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K3/063 , B23K3/08 , B23K2101/42 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/2733 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/7565 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种用于将半导体晶粒安装在衬底上的晶粒安装装置,该衬底具有金属表面,该装置包含有:材料滴涂平台,其用于将键合材料滴涂在衬底上;晶粒安装平台,其用于将半导体晶粒放置在已经滴涂在衬底上的键合材料中;以及活化气体产生器,其设置在晶粒安装平台前侧,以将激发的混合气体引导在衬底上,而便于还原衬底上的氧化物。
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公开(公告)号:CN115223912A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210314453.6
申请日:2022-03-28
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 当从胶带拾取芯片时,拾取臂的夹头定位在芯片上方一定距离处,芯片安装在胶带的第一表面上。接下来,在胶带的与第一表面相对的第二表面上产生气流吹动胶带,以将芯片移向夹头的芯片保持表面。此后,在胶带从芯片分离时,芯片保留在夹头的芯片保持表面上。
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公开(公告)号:CN117241455A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202210642604.0
申请日:2022-06-08
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H05H1/24
Abstract: 一种介质阻挡放电等离子体发生器,包括接地电极和高压电极,接地电极和高压电极配置成形成用以接收等离子体生成用电源输入的电路;介质阻挡层,具有附接至所述高压电极的第一表面和面对所述接地电极的第二表面,及用于等离子体生成的放电间隙,该放电间隙形成在所述介质阻挡层的所述第二表面与接地电极之间;以及弹性变形机构,用于将所述高压电极对着所述介质阻挡层的所述第一表面进行偏压。
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公开(公告)号:CN104425289B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201310410954.5
申请日:2013-09-11
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: B23K3/082 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K3/063 , B23K3/08 , B23K2101/42 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/2733 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/7565 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种用于将半导体晶粒安装在衬底上的晶粒安装装置,该衬底具有金属表面,该装置包含有:材料滴涂平台,其用于将键合材料滴涂在衬底上;晶粒安装平台,其用于将半导体晶粒放置在已经滴涂在衬底上的键合材料中;以及活化气体产生器,其设置在晶粒安装平台前侧,以将激发的混合气体引导在衬底上,而便于还原衬底上的氧化物。
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公开(公告)号:CN115274530A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202110398291.4
申请日:2021-04-14
Applicant: 先进科技新加坡有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 要从胶带上拆卸的电子装置沿着第一轴线定位在基台突起上方,该基台突起安装在排出器组件上。基台突起沿着第二轴线在排出器组件上具有相对固定位置,该第二轴线垂直于第一轴线。首先,基台突起邻近电子装置的第一边缘推抵电子装置,以将电子装置的第一边缘提离胶带。然后,在通过基台突起提起电子装置的同时,使电子装置和排出器组件沿着第二轴线相对于彼此滑动,直至基台突起正在邻近电子装置的第二边缘推抵电子装置,该第二边缘与第一边缘相对。电子装置保持器随后从胶带上移除电子装置。
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