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公开(公告)号：CN103887183B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201210562498.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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公开(公告)号：CN103887183A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210562498.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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公开(公告)号：CN204408283U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201520112293.2
申请日：2015-02-15
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H05K1/183 , H03F3/22 , H05K3/3442 , H05K2201/09036 , H05K2203/1178
Abstract: 本实用新型公开了一种功率放大器的功率管连接结构及功率放大器，涉及功率放大器技术领域。为解决现有功率管底部焊接空洞的问题而发明。本实用新型功率放大器的功率管连接结构，包括基板、覆盖于所述基板上表面的印制电路板、以及功率管，所述印制电路板开设有允许所述功率管穿过的通槽，所述基板上表面对应所述通槽的位置开设有安装槽，所述功率管的一端穿过所述通槽设置，并与所述安装槽的底面焊接，所述功率管伸入所述安装槽的一端与所述安装槽靠近功率放大器输出端的侧壁贴合，所述安装槽靠近功率放大器输出端的侧壁上开设有助焊剂逃逸通道。本实用新型可用于下沉式功率放大器。
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公开(公告)号：CN211656501U
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201922361908.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种电路板及电子设备，以在高密度布局下提高电路板的通流能力。电路板包括基板以及设置于基板上的多个元器件，还包括半导体器件以及金属块，其中：基板上避开多个元器件的区域设置有开口；金属块埋嵌于开口内，且金属块上开设有用于与电流输出模块的引脚配合插接的开孔；半导体器件设置于基板上，半导体器件具有与金属块重叠的第一部分，第一部分上设置有第一电极，第一电极通过金属块与电流输出模块的引脚电连接。
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