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公开(公告)号：CN105712284B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN106276777A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510244272.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00
Abstract: 一种MEMS基片的加工方法，对基片进行腐蚀前，通过在基片的侧面和背面分别形成第二掩膜层和第三掩膜层，由于第二掩膜层对基片的边缘侧面进行有效保护，可以有效避免在对基片进行腐蚀的同时将基片的边缘侧面腐蚀从而导致基片边缘出现缺角，在随后的工艺中基片不容易碎片，提高产品的成品率。
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公开(公告)号：CN106276776A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510244071.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , G01J5/20
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一膜体和第二膜体的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二膜体不需要制作悬臂梁，所以第二膜体可以制作得比第一膜体大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN105712284A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN105645347A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410660920.6
申请日：2014-11-18
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C3/004 , B81C1/00 , B81C1/00603 , B81C3/00 , B81C2203/051 , G03F9/00 , H01L21/68
Abstract: 一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103693612A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210368330.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种硅膜的制备方法，该方法包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层的钝化层形成步骤；在正面钝化层上淀积多晶硅作为外延的种子层的种子层形成步骤；在上述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在背面钝化层上形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始腐蚀直到停止在上述正面钝化层的腐蚀步骤。利用本发明能够制备片内均匀性一致、可精确控制厚度的硅膜。
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公开(公告)号：CN105712288B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410724507.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , B81C1/00603 , B81C2201/0109 , B81C2201/0111
Abstract: 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。
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公开(公告)号：CN105712290B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410737216.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种MEMS静电驱动器的制作方法，通过键合和刻蚀结合的工艺来制作上电极板(第二电极板)和下电极板(第一电极板)结构，避免了传统方法中需用到的淀积薄膜和去除牺牲层的工艺，减少了器件薄膜(上电极板)的残余应力，避免已经加工平整的器件变形，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN105645348A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410693991.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
Abstract: 一种MEMS硅膜的制造方法，采用二氧化硅层作为自停止层，干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方法，可以制备出厚度和大小精确的硅膜，同时也大大减小了器件的大小。
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公开(公告)号：CN104760925B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410007410.9
申请日：2014-01-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/013
Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。
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