Invention Publication
CN106276777A MEMS基片的加工方法
无效 - 驳回
- Patent Title: MEMS基片的加工方法
- Patent Title (English): Processing method of MEMS substrate
-
Application No.: CN201510244272.0Application Date: 2015-05-13
-
Publication No.: CN106276777APublication Date: 2017-01-04
- Inventor: 荆二荣
- Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- Assignee: 无锡华润上华半导体有限公司
- Current Assignee: 无锡华润上华科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- Agency: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 邓云鹏
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00

Abstract:
一种MEMS基片的加工方法,对基片进行腐蚀前,通过在基片的侧面和背面分别形成第二掩膜层和第三掩膜层,由于第二掩膜层对基片的边缘侧面进行有效保护,可以有效避免在对基片进行腐蚀的同时将基片的边缘侧面腐蚀从而导致基片边缘出现缺角,在随后的工艺中基片不容易碎片,提高产品的成品率。
Information query