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1.

发明公开
半导体装置有权

公开(公告)号：CN107230642A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710119851.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 金井直之 , 浅井竜彦

IPC: H01L21/56 , H01L23/29 , C08K3/32 , C08L63/00

CPC classification number: H01L23/3735 , H01L21/4803 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L23/053 , H01L23/08 , H01L23/18 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L24/01 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/29111 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/45624 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/067 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L21/561 , C08K3/32 , C08K2003/329 , H01L23/293 , C08L63/00

Abstract: 提供一种提高密封材料与被密封部件和/或外壳部件之间的粘着性的、高可靠性半导体装置。该半导体装置具有层叠基板2和密封介质10，其中，层叠基板2上安装有半导体元件1，密封材料10包括环氧树脂主剂、硬化剂和膦酸。

2.

发明授权
太阳能电池模块用二极管装置有权

公开(公告)号：CN104508833B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201380002207.6

申请日：2013-07-18

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 末本竜二 , 竹康裕 , 新井寿和

IPC: H01L25/07 , H02S40/34 , H01L31/044

CPC classification number: H01L31/044 , H01L25/072 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/48247 , H01L2924/12032 , H02S40/34 , Y02E10/50 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种结构简单易于小型化、且温度不均一的情况少散热性优良的太阳能电池模块用二极管装置。对于本实施方式的太阳能电池模块用二极管装置（20），不间隔如中间端子板那样的部件，而是分别将第一端子（22A）与第二端子（23B）以及第三端子（22B）与第二端子（23C）直接接合。根据这样的结构，就不会产生由于中间端子板等的间隔物而导致的散热性下降的情况。

3.

发明公开
具有表皮层的封装焊线的制备方法及其成品无效

公开(公告)号：CN104658916A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410362538.7

申请日：2014-07-28

Applicant: 大亚电线电缆股份有限公司

Inventor： 吕宗鸿 , 赵健佑

IPC: H01L21/48 , H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20755 , H01L2924/01204 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/0102 , H01L2924/01012 , H01L2924/01016 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2224/45664 , H01L2224/45644 , H01L2224/45639 , H01L2224/45669 , H01L2924/01206 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/01015

Abstract: 本发明提供一种具有表皮层的封装焊线的制备方法及其成品。该制备方法包括：先使用具有适当减面率的眼模伸线加工母材获得芯材；再于芯材上电镀形成抗氧化层，并于抗氧化层上形成表皮层；另热处理包覆有抗氧化层及表皮层的芯材，以获得具有表皮层的封装焊线。依据本发明，由于其先进行伸线加工再进行电镀工艺，故因伸线加工而形成于芯材表面的裂痕能通过电镀工艺加以填补，使抗氧化层得以完整包覆于芯材表面，且表皮层能完整包覆于抗氧化层表面，解决现有技术的封装焊线常因形成于抗氧化层的裂痕而降低半导体装置的品质的问题。

4.

发明授权
金属细线直进性评价方法及直进性评价装置失效转让

公开(公告)号：CN1750247B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510099994.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 田中电子工业股份公司

Inventor： 牧一诚 , 中田有治

IPC: H01L21/66 , H01L21/60 , G01B11/30

CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45171 , H01L2224/45184 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/01204 , H01L2924/20751 , H01L2224/48 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可以正确评价金属细线直进性的金属细线直进性评价方法及直进性评价装置。具有规定长度的金线(2)，使金线(2)的至少一端以自由端的状态浮在纯水上，以纯水液面上的金线(2)的形状为基础，评价金线(2)的直进性。而且，拍摄浮在液体上面的金线(2)，根据其静止画像评价金线(2)的直进性为宜。另外，直进性评价装置包括利用液面上浮金线(2)的纯水和贮存纯水的大桶。

5.

发明授权
半导体装置、半导体模块及其制法、电子设备、电子仪器失效

公开(公告)号：CN1328788C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200410045259.4

申请日：2004-06-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤泽秀树

IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/321

CPC classification number: H01L23/49572 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/49173 , H01L2224/49431 , H01L2224/85399 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/83851 , H01L2224/45644

Abstract: 本发明提供一种使延伸为放射状的引导电极与突出电极之间的间隙增加的半导体装置、半导体模块、电子设备、电子仪器及半导体模块的制造方法。使外侧的突出电极(42b′)偏向锯齿状排列的内侧的突出电极(42a)的排列，并进行排列，在将外侧的突出电极(42b′)的位置挪向突出电极(42b″)的位置的同时，使突出电极(42a、42b)的接合面为正方形。

6.

发明授权
用于电子部件的导件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1122300C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN97112761.1

申请日：1997-06-13

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 铃木智 , 谷木守正

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L24/45 , H01L24/43 , H01L2224/43825 , H01L2224/43848 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45573 , H01L2224/45611 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/4851 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/45638 , H01L2924/01026 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/2011 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 提供一种具有优异的耐热性、耐氧化性和耐腐蚀性且尤其具有优异的焊接性的用于电子部件的导件以及通过电镀低成本地制造该导件的方法。该导件包含至少表面部分由Cu或Cu合金制成的基体、按所述次序依次形成的Ni、Co、Ni合金和Co合金的底层以及Pd、Ru、Pd合金和Ru合金的表层。所述底层由粒度在20μm以上的晶粒组成。

7.

发明公开
功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法有权

公开(公告)号：CN106783785A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611035382.7

申请日：2016-11-18

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： W·M·舒尔茨

IPC: H01L23/49 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/4847 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L23/49 , H01L24/43 , H01L24/80 , H01L2224/4503 , H01L2224/45118 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/4516 , H01L2224/45163 , H01L2924/01013 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明还涉及功率半导体器件。本发明提供功率半导体芯片(1)，其具有金属化部(10)，在键合期间不设置有厚金属覆盖层的铜线(11)能够可靠地键合到所述金属化部(10)，而不损坏功率半导体芯片(1)。