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公开(公告)号:CN105419668A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510958356.0
申请日:2011-09-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/683
CPC classification number: C09J133/00 , H01L21/683 , C08L63/00
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中,离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例,切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度,从而防止片的破损并保持卷形稳定性。
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公开(公告)号:CN102533166B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201110193664.0
申请日:2011-07-05
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/00 , H01L21/68 , H01L21/56
Abstract: 本发明在此公开了一种用于半导体组装的包括丙烯酸类树脂、环氧树脂、芳族胺固化剂、填料和硅烷偶联剂的粘结膜组合物。所述粘结膜组合物通过降低固化反应速率来保持固化循环后的低熔融粘度和高残留固化比,使得在用环氧模制化合物(EMC)的模制工艺中去除空隙而保证高可靠性。本发明还公开了一种由所述粘结膜组合物形成的用于半导体组装的粘结膜。
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公开(公告)号:CN102533170B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110418517.9
申请日:2011-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/04 , C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L24/29
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的粘合剂膜。所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100至1500gf/mm2的抗压强度。所述用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略半固化工艺,通常在接合相同类型的芯片后进行所述半固化工艺。所述用于半导体的粘合剂组合物保证了芯片接合之后的引线接合中的最小模量以最小化空隙,并在芯片接合后的多个固化工艺提供残留固化速率以易于消除EMC成型中的空隙。
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公开(公告)号:CN103282456A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201180063146.5
申请日:2011-12-02
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , C09J11/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73215 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92165 , H01L2224/94 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开提供了用于半导体的粘合剂组合物,所述粘合剂组合物在65℃与350℃之间具有两个放热峰,并在150℃固化10分钟、在150℃固化30分钟、然后在175℃模塑60秒后测量具有小于10%的空隙面积比,其中,在65℃与185℃之间出现第一放热峰,并在155℃与350℃之间出现第二放热峰。用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略接合相同类型芯片后必须实施的半固化工艺。
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公开(公告)号:CN102952502A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210286852.2
申请日:2012-08-13
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/29
CPC classification number: C09J9/00 , C08G59/50 , C08G59/621 , C08G59/688 , C08L33/00 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/0503
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜和半导体装置。更具体地,本发明涉及具有两个分立的固化带使得低温固化和高温固化分别进行的用于半导体的粘合剂组合物,从而使半固化和成型后固化(PMC)能够去除或减少,具体地,在去除半固化工艺的情况下,能够使1次循环后使孔隙的比率能够减少到15%或更少。
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公开(公告)号:CN102533166A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110193664.0
申请日:2011-07-05
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/00 , H01L21/68 , H01L21/56
Abstract: 本发明在此公开了一种用于半导体组装的包括丙烯酸类树脂、环氧树脂、芳族胺固化剂、填料和硅烷偶联剂的粘结膜组合物。所述粘结膜组合物通过降低固化反应速率来保持固化循环后的低熔融粘度和高残留固化比,使得在用环氧模制化合物(EMC)的模制工艺中去除空隙而保证高可靠性。本发明还公开了一种由所述粘结膜组合物形成的用于半导体组装的粘结膜。
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公开(公告)号:CN102108276A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010623310.0
申请日:2010-12-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J163/04 , C09J133/00 , C09J11/06 , C09J7/00 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/29 , C08G59/621 , C08L21/00 , C09J163/00 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/05032 , H01L2924/05442 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 一种用于半导体器件的粘合剂组合物,包括弹性体树脂、环氧树脂、可固化酚醛树脂、固化促进剂、硅烷偶联剂和填料。所述硅烷偶联剂包括含环氧基的硅烷偶联剂和含过渡金属清除官能团的硅烷偶联剂。所述粘合剂组合物防止因过渡金属和过渡金属离子迁移引起的半导体芯片可靠性降低,因此在半导体封装期间或之后能最大程度提高半导体器件的运行效率。此外,所述粘合剂组合物为粘性膜提供软化的结构和高抗张强度,因此防止膜被不希望地切割,同时确保粘性膜的高可靠性和硬度。
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公开(公告)号:CN105419668B
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201510958356.0
申请日:2011-09-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中,离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例,切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度,从而防止片的破损并保持卷形稳定性。
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公开(公告)号:CN104263266B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201410415678.6
申请日:2011-10-09
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/02 , C09J163/04 , C09J163/00 , H01L21/60
CPC classification number: C09J7/0217 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/30 , B32B2405/00 , C08G18/6254 , C08G59/08 , C08G2170/40 , C08L2312/08 , C09J7/22 , C09J7/385 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/29084 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/061 , H01L2924/0615 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675 , H01L2924/068 , H01L2924/07025 , H01L2924/0705 , Y10T428/28 , Y10T428/31515 , H01L2224/27 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜,所述粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。所述粘合剂膜在低温储存较长时间后具有优异的卷绕形状稳定性,从而在以后的半导体封装工艺中不会导致倾斜现象并降低缺陷。
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公开(公告)号:CN102533146B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201110303308.X
申请日:2011-10-09
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/02 , C09J163/04 , C09J163/00 , H01L21/60
CPC classification number: C09J7/0217 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/30 , B32B2405/00 , C08G18/6254 , C08G59/08 , C08G2170/40 , C08L2312/08 , C09J7/22 , C09J7/385 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/29084 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/061 , H01L2924/0615 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675 , H01L2924/068 , H01L2924/07025 , H01L2924/0705 , Y10T428/28 , Y10T428/31515 , H01L2224/27 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜,所述粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。所述粘合剂膜在低温储存较长时间后具有优异的卷绕形状稳定性,从而在以后的半导体封装工艺中不会导致倾斜现象并降低缺陷。
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