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公开(公告)号:CN105419668A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510958356.0
申请日:2011-09-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/683
CPC classification number: C09J133/00 , H01L21/683 , C08L63/00
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中,离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例,切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度,从而防止片的破损并保持卷形稳定性。
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公开(公告)号:CN102533147B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201110331571.X
申请日:2011-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/04 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27001 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , Y10T428/2826 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明公开了一种包括粘合层和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层的切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置,其中所述压敏粘结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割芯片粘合膜不包括UV工艺并在切割工艺中具有优异的加工性。
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公开(公告)号:CN102533148B
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201110354111.9
申请日:2011-11-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J175/14 , H01L21/68 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了切割芯片粘合膜、用于切割芯片粘合膜的组合物和半导体装置,且所述切割芯片粘合膜包括邻接基膜的第一表面(A)和邻接半导体晶片的第二表面(B),其中所述第二表面具有高于所述第一表面的剥离强度,并具有0.2N/25mm或更高的剥离强度。所述切割芯片粘合膜与所述基膜接触的表面顺利分离,而不是与所述晶片接触的表面分离,从而表现出优异的拾取性能。
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公开(公告)号:CN102533173A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110347640.6
申请日:2011-11-07
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/08 , C09J133/10 , C09J7/02 , C08F220/10 , C08F230/08 , C08F230/02 , H01L21/68 , H01L21/78
CPC classification number: C09J7/02 , C08F8/30 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J133/14 , C09J143/02 , C09J143/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68336 , H01L2224/8085 , H01L2224/80855 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , Y10T428/2848 , Y10T428/31786 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/32 , C08F2220/325 , C08F230/02 , C08F220/06
Abstract: 本发明公开了一种用于切割芯片接合膜的光学透明粘结剂。所述光学透明粘结剂包括具有磷酸酯基和/或硅烷基的丙烯酸共聚物。所述光学透明粘结剂具有对环形框架提高的粘附力,并展示出高拾取成功率。本发明还提供了一种包括所述光学透明粘结剂的切割芯片接合膜和半导体器件。
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公开(公告)号:CN102533173B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201110347640.6
申请日:2011-11-07
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/08 , C09J133/10 , C09J7/02 , C08F220/10 , C08F230/08 , C08F230/02 , H01L21/68 , H01L21/78
CPC classification number: C09J7/02 , C08F8/30 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J133/14 , C09J143/02 , C09J143/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68336 , H01L2224/8085 , H01L2224/80855 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , Y10T428/2848 , Y10T428/31786 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/32 , C08F2220/325 , C08F230/02 , C08F220/06
Abstract: 本发明公开了一种用于切割芯片接合膜的光学透明粘结剂。所述光学透明粘结剂包括具有磷酸酯基和/或硅烷基的丙烯酸共聚物。所述光学透明粘结剂具有对环形框架提高的粘附力,并展示出高拾取成功率。本发明还提供了一种包括所述光学透明粘结剂的切割芯片接合膜和半导体器件。
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公开(公告)号:CN103384706A
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201180060634.0
申请日:2011-08-12
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J9/00 , C09J133/04 , H01L21/58
CPC classification number: C09J7/0217 , C08K5/0025 , C08K5/54 , C08L2312/08 , C09J7/20 , C09J133/04 , C09J133/14 , C09J143/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/0665 , Y10T428/264 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2924/0635
Abstract: 本发明提供一种普通减压类型的切割裸片接合膜,其中粘性粘合剂层相对于环形框架和粘合剂层的粘性粘合强度被调节至合适的比例,从而避免对于象环形框架涂布之类额外加工的需要,并且免去了紫外线照射处理中必然伴有的时间和费用。
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公开(公告)号:CN103160220A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210548296.1
申请日:2012-12-17
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L23/28
CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/504 , C08G59/56 , C08G59/621 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/50 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29391 , H01L2224/29393 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开了用于半导体的粘合剂膜,所述粘合剂膜同时包含胺类固化剂和酚类固化剂,并呈现优异的与孔隙特性和可靠性相关的性质。所述用于半导体的粘合剂膜呈现固化前的储能模量和80%固化后的储能模量之间的1.5至3.0的高变化比,在芯片贴附时具有挠性以防止孔隙的产生,在EMC模制时利于孔隙的去除以控制贴附界面的孔隙面积,并具有硬度以在固化后提供良好的芯片剪切强度和耐回流,从而确保高可靠性。本文还公开了半导体装置。
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公开(公告)号:CN102533148A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110354111.9
申请日:2011-11-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J175/14 , H01L21/68 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了切割芯片粘合膜、用于切割芯片粘合膜的组合物和半导体装置,且所述切割芯片粘合膜包括邻接基膜的第一表面(A)和邻接半导体晶片的第二表面(B),其中所述第二表面具有高于所述第一表面的剥离强度,并具有0.2N/25mm或更高的剥离强度。所述切割芯片粘合膜与所述基膜接触的表面顺利分离,而不是与所述晶片接触的表面分离,从而表现出优异的拾取性能。
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公开(公告)号:CN102142389A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201010610077.2
申请日:2010-12-22
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L24/29 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T156/1092 , Y10T428/14 , Y10T428/1462 , Y10T428/2809 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法。光固化粘结剂组合物的切割膜层被引入到将被贴装到晶圆上的贴装层。所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域。对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流引入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化,同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。
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