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公开(公告)号:CN102142389A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201010610077.2
申请日:2010-12-22
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L24/29 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T156/1092 , Y10T428/14 , Y10T428/1462 , Y10T428/2809 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法。光固化粘结剂组合物的切割膜层被引入到将被贴装到晶圆上的贴装层。所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域。对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流引入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化,同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。
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公开(公告)号:CN102533147B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201110331571.X
申请日:2011-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/04 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27001 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , Y10T428/2826 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明公开了一种包括粘合层和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层的切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置,其中所述压敏粘结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割芯片粘合膜不包括UV工艺并在切割工艺中具有优异的加工性。
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公开(公告)号:CN102142389B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201010610077.2
申请日:2010-12-22
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L24/29 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T156/1092 , Y10T428/14 , Y10T428/1462 , Y10T428/2809 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法。光固化粘结剂组合物的切割膜层被引入到将被贴装到晶圆上的贴装层。所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域。对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流引入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化,同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。
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公开(公告)号:CN102533147A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110331571.X
申请日:2011-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/04 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27001 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , Y10T428/2826 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明公开了一种包括粘合层和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层的切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置,其中所述压敏粘结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割芯片粘合膜不包括UV工艺并在切割工艺中具有优异的加工性。
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