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公开(公告)号：CN103282456B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201180063146.5
申请日：2011-12-02
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , C09J11/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73215 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92165 , H01L2224/94 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开提供了用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65℃与350℃之间具有两个放热峰，并在150℃固化10分钟、在150℃固化30分钟、然后在175℃模塑60秒后测量具有小于10%的空隙面积比，其中，在65℃与185℃之间出现第一放热峰，并在155℃与350℃之间出现第二放热峰。用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略接合相同类型芯片后必须实施的半固化工艺。
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公开(公告)号：CN103261348A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060456.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J11/06 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , C08K5/09 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种高流动性的半导体用粘合剂组合物，其中该组合物：包含具有特定结构的助焊活性固化剂；允许满足隆起-芯片电连接的可靠性需要并去除在焊料和Cu隆起上作为隆起-芯片接触层的任何氧化膜的助焊过程；在通过热压缩焊接的芯片焊接过程中确保焊料和隆起之间充分的相互接触。还提供了一种含该组合物的粘合剂膜和使用该组合物的半导体封装。
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公开(公告)号：CN103261348B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180060456.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J11/06 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , C08K5/09 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种高流动性的半导体用粘合剂组合物，其中该组合物：包含具有特定结构的助焊活性固化剂；允许满足隆起‑芯片电连接的可靠性需要并去除在焊料和Cu隆起上作为隆起‑芯片接触层的任何氧化膜的助焊过程；在通过热压缩焊接的芯片焊接过程中确保焊料和隆起之间充分的相互接触。还提供了一种含该组合物的粘合剂膜和使用该组合物的半导体封装。
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公开(公告)号：CN104024359B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280065015.5
申请日：2012-12-18
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。
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公开(公告)号：CN102533170B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110418517.9
申请日：2011-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/04 , C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L24/29
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的粘合剂膜。所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100至1500gf/mm2的抗压强度。所述用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略半固化工艺，通常在接合相同类型的芯片后进行所述半固化工艺。所述用于半导体的粘合剂组合物保证了芯片接合之后的引线接合中的最小模量以最小化空隙，并在芯片接合后的多个固化工艺提供残留固化速率以易于消除EMC成型中的空隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104125994A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201280070440.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08K5/0025 , C08K5/3445 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/05442 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括它的粘合剂膜。在包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在第四阶段中具有比在第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在第二和第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。
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公开(公告)号：CN103282456A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063146.5
申请日：2011-12-02
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , C09J11/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73215 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92165 , H01L2224/94 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开提供了用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65℃与350℃之间具有两个放热峰，并在150℃固化10分钟、在150℃固化30分钟、然后在175℃模塑60秒后测量具有小于10%的空隙面积比，其中，在65℃与185℃之间出现第一放热峰，并在155℃与350℃之间出现第二放热峰。用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略接合相同类型芯片后必须实施的半固化工艺。
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公开(公告)号：CN102952502A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286852.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/29
CPC classification number: C09J9/00 , C08G59/50 , C08G59/621 , C08G59/688 , C08L33/00 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/0503
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜和半导体装置。更具体地，本发明涉及具有两个分立的固化带使得低温固化和高温固化分别进行的用于半导体的粘合剂组合物，从而使半固化和成型后固化（PMC）能够去除或减少，具体地，在去除半固化工艺的情况下，能够使1次循环后使孔隙的比率能够减少到15%或更少。
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公开(公告)号：CN104024359A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065015.5
申请日：2012-12-18
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。
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公开(公告)号：CN102533170A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110418517.9
申请日：2011-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/04 , C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L24/29
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的粘合剂膜。所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100至1500gf/mm2的抗压强度。所述用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略半固化工艺，通常在接合相同类型的芯片后进行所述半固化工艺。所述用于半导体的粘合剂组合物保证了芯片接合之后的引线接合中的最小模量以最小化空隙，并在芯片接合后的多个固化工艺提供残留固化速率以易于消除EMC成型中的空隙。
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