公开(公告)号：CN104212372B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410049714.1

申请日：2014-02-13

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 魏京台 ,  崔裁源 ,  金成旻 ,  金振万 ,  金惠珍 ,  李俊雨

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  C09J163/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂膜和粘合剂组合物，以及由该粘合剂膜连接的半导体装置。该粘合剂膜在4次循环后的储能模量（A）与1次循环后的储能模量（B）之间的差为3×106达因/cm2或更小。该粘合剂膜具有7×106达因/cm2或更小的4次循环后的储能模量（A），并具有2×106达因/cm2或更大的1次循环后的储能模量（B），其中在125℃固化1小时并在150℃固化10分钟定义为1次循环。

公开(公告)号：CN104212372A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410049714.1

申请日：2014-02-13

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 魏京台 ,  崔裁源 ,  金成旻 ,  金振万 ,  金惠珍 ,  李俊雨

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  C09J163/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂膜和粘合剂组合物，以及由该粘合剂膜连接的半导体装置。该粘合剂膜在4次循环后的储能模量（A）与1次循环后的储能模量（B）之间的差为3×106达因/cm2或更小。该粘合剂膜具有7×106达因/cm2或更小的4次循环后的储能模量（A），并具有2×106达因/cm2或更大的1次循环后的储能模量（B），其中在125℃固化1小时并在150℃固化10分钟定义为1次循环。

公开(公告)号：CN104125994A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280070440.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李俊雨 ,  金成旻 ,  金仁焕 ,  朴白晟 ,  任首美 ,  崔裁源

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/3445 ,  C08L63/00 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括它的粘合剂膜。在包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在第四阶段中具有比在第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在第二和第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。

公开(公告)号：CN104024359A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065015.5

申请日：2012-12-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴白晟 ,  崔裁源 ,  金成旻 ,  金仁焕 ,  李俊雨 ,  任首美

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/544 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/28 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/70 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/83191

Abstract: 本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。

公开(公告)号：CN104024359B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280065015.5

申请日：2012-12-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴白晟 ,  崔裁源 ,  金成旻 ,  金仁焕 ,  李俊雨 ,  任首美

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/544 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/28 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/70 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/83191

Abstract: 本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。