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公开(公告)号：CN102484100B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080041417.2
申请日：2010-09-03
申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
发明人： M.温普林格
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 用于将多个芯片（3）接合到在前侧包含芯片（3’）的基础晶片（1）上的方法，其中在基础晶片（1）的背侧以至少一个层堆叠芯片（3），并且在垂直相邻的芯片（3， 3’）之间建立导电连接（7），所述方法具有以下的步骤：a）将基础晶片（1）的前侧（2）固定在载体(5)上，b）将至少一层芯片（3）放置在基础晶片（1）的背侧（6）上的定义位置中，和c）在与载体(5)固定的基础晶片（1）上热处理芯片（3， 3’），其特征在于，在步骤c）之前，将基础晶片（1）的芯片（3’）至少部分地分隔成基础晶片（1）的分离的芯片堆叠片段（1c）。
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公开(公告)号：CN104425394A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410436888.3
申请日：2014-08-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L23/481 , G02B6/12 , G02B6/34 , G02B2006/12061 , H01L21/30604 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L25/167 , H01L27/0255 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06102 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/29294 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48148 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83805 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2933/0066 , H01S5/0208 , H01S5/02469 , H01S5/026 , H01S5/34 , H01L2924/00 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 本发明公开一种基板、其制造方法及其应用，该基板包括基材、两个导体结构以及至少一二极管。两个导体结构分别从基材的第一表面，经由贯穿基材的两个穿孔，延伸到基材的第二表面。至少一二极管埋入于所述穿孔其中之一的一侧壁的基材中。
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公开(公告)号：CN105742193A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510971451.4
申请日：2015-12-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/538
CPC分类号： H01L24/81 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/031 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03602 , H01L2224/03614 , H01L2224/03616 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/08225 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/16014 , H01L2224/16147 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/279 , H01L2224/27912 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/32014 , H01L2224/32147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/0347 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/114 , H01L2224/1146 , H01L2224/1161 , H01L2224/274 , H01L2224/2746 , H01L2224/2761 , H01L21/302 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/80 , H01L21/561 , H01L23/538 , H01L23/5389 , H01L25/071
摘要： 本发明的实施例提供了一种接合结构及其形成方法。在接合结构的第一表面上形成导电层，接合结构包括接合至第二衬底的第一衬底，接合结构的第一表面是第一衬底的暴露的表面。在导电层上形成具有第一开口和第二开口的图案化的掩模，第一开口和第二开口暴露导电层的一部分。在第一开口中形成第一接合连接件的第一部分，并且在第二开口中形成第二接合连接件的第一部分。图案化导电层以形成第一接合连接件的第二部分和第二接合连接件的第二部分。使用第一接合连接件和第二接合连接件将接合结构接合至第三衬底。
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公开(公告)号：CN103474420B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210359518.5
申请日：2012-09-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/08147 , H01L2224/08502 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80204 , H01L2224/80345 , H01L2224/80805 , H01L2224/80896 , H01L2224/80986 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。
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公开(公告)号：CN102484100A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080041417.2
申请日：2010-09-03
申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
发明人： M.温普林格
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 用于将多个芯片（3）接合到在前侧包含芯片（3’）的基础晶片（1）上的方法，其中在基础晶片（1）的背侧以至少一个层堆叠芯片（3），并且在垂直相邻的芯片（3，3’）之间建立导电连接（7），所述方法具有以下的步骤：a）将基础晶片（1）的前侧（2）固定在载体(5)上，b）将至少一层芯片（3）放置在基础晶片（1）的背侧（6）上的定义位置中，和c）在与载体(5)固定的基础晶片（1）上热处理芯片（3，3’），其特征在于，在步骤c）之前，将基础晶片（1）的芯片（3’）至少部分地分隔成基础晶片（1）的分离的芯片堆叠片段（1c）。
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公开(公告)号：CN104425394B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410436888.3
申请日：2014-08-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L23/481 , G02B6/12 , G02B6/34 , G02B2006/12061 , H01L21/30604 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L25/167 , H01L27/0255 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06102 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/29294 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48148 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83805 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2933/0066 , H01S5/0208 , H01S5/02469 , H01S5/026 , H01S5/34 , H01L2924/00 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 本发明公开一种基板、其制造方法及其应用，该基板包括基材、两个导体结构以及至少一二极管。两个导体结构分别从基材的第一表面，经由贯穿基材的两个穿孔，延伸到基材的第二表面。至少一二极管埋入于所述穿孔其中之一的一侧壁的基材中。
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公开(公告)号：CN107134408A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201611190738.4
申请日：2016-12-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/02049 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/799 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2224/04 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80908 , H01L2224/80948 , H01L2224/80986 , H01L2224/94 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2224/08 , H01L2224/808 , H01L21/67011
摘要： 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；产生超声波；以及通过超声波传输介质，将超声波传导至已接合的第一晶圆和第二晶圆并且持续预定的时间段。本发明还公开了相关的用于至少减弱接合晶圆的接合强度的半导体制造系统。
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公开(公告)号：CN107032290A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611195878.0
申请日：2016-12-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , B81C2203/0109 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/80805 , H01L2224/81805 , B81C1/00365 , B81C1/0038 , B81C2201/0174 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181
摘要： 本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105405772A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510703413.0
申请日：2015-10-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/603
CPC分类号： H01L21/50 , H01L24/80 , H01L2021/60007 , H01L2021/603 , H01L2224/80805
摘要： 一种二极管芯片熔焊方法，包含两个内电极、二极管芯片、配重以及用于装配用的装配模具，将具有金属化结构的硅基二极管芯片和两个内电极叠放在一起，高温条件下采用无钎料的熔焊技术将硅基二极管芯片与双内电极永久焊接，形成牢固的整体结构。本发明将两个内电极与芯片上下两个表面直接接触，实现双插头结构，然后采取熔焊技术，在接触界面产生低于各自单质金属熔点的银硅共晶体，形成冶金键，实现一字结构，本发明的焊接温度较高，为后续工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对焊接结构的影响。起连接作用的共晶体稳定性强，在固相下没有复杂的相变，也提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104851848A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410053580.0
申请日：2014-02-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/05571 , H01L2224/0612 , H01L2224/08145 , H01L2224/08148 , H01L2224/2761 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29078 , H01L2224/30145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32148 , H01L2224/80011 , H01L2224/80203 , H01L2224/80805 , H01L2224/8081 , H01L2224/80895 , H01L2224/83011 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/8381 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/0002 , H01L2924/163 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/2919 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/80
摘要： 本发明涉及一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C-SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。本发明的优点在于：（1）所述接合晶圆边缘上设置的密封结构可以在C-SAM检测过程中将水封锁在晶圆之外。（2）可以根据预先设定的检测方法选用C-SAM对所述晶圆接合质量进行检测。（3）所述晶圆在C-SAM检测之后不会受到损坏。
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