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公开(公告)号:CN107134408A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201611190738.4
申请日:2016-12-21
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L21/68764 , H01L21/02049 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/799 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2224/04 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80908 , H01L2224/80948 , H01L2224/80986 , H01L2224/94 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2224/08 , H01L2224/808 , H01L21/67011
摘要: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆,其中,所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起;将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中;产生超声波;以及通过超声波传输介质,将超声波传导至已接合的第一晶圆和第二晶圆并且持续预定的时间段。本发明还公开了相关的用于至少减弱接合晶圆的接合强度的半导体制造系统。