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公开(公告)号：CN104854766B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN104425394A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410436888.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L23/481 , G02B6/12 , G02B6/34 , G02B2006/12061 , H01L21/30604 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L25/167 , H01L27/0255 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06102 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/29294 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48148 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83805 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2933/0066 , H01S5/0208 , H01S5/02469 , H01S5/026 , H01S5/34 , H01L2924/00 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明公开一种基板、其制造方法及其应用，该基板包括基材、两个导体结构以及至少一二极管。两个导体结构分别从基材的第一表面，经由贯穿基材的两个穿孔，延伸到基材的第二表面。至少一二极管埋入于所述穿孔其中之一的一侧壁的基材中。
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公开(公告)号：CN100499115C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710006326.5
申请日：2007-02-02
Applicant: 日本光进株式会社
Inventor： 加贺谷修
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/66 , H05K1/18 , H04B10/155
CPC classification number: H01S5/02248 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01S5/0208 , H01S5/02212 , H01S5/02276 , H01S5/0265 , H01S5/0422 , H01S5/0427 , H01S5/06226 , H01S5/0683 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/206
Abstract: 利用下述的光发送模块可解决本发明的课题：使用在半绝缘性半导体衬底上形成了光调制器集成激光器的半导体芯片(22)，用第一键合引线(31)连接输入传送线路(27)与光调制器元件(21)的阳极电极，用第二键合引线(32)连接光调制器元件(21)的阳极电极与终端电阻元件(24)的一端，用第三键合引线(33)连接光调制器元件(21)的阴极电极与终端电阻元件(24)的另一端，用第四键合引线(34)连接光调制器元件(21)的阴极电极与接地电极(25)，将第一键合引线(31)与输入传送线路(27)的连接部配置在对于第四键合引线(34)与接地电极(25)的连接部夹着半导体芯片(22)的相反一侧。
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公开(公告)号：CN101143522A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710127421.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐云镐
IPC: B41J2/455
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , G03G15/04072 , G03G2215/0404 , H01S5/0207 , H01S5/0208 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种多束激光设备和使用其的图像形成装置。该多束激光设备包括公共电极单元；使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元。例如采用这种配置，该激光设备可以减少各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少布线和引脚的数目以产生紧凑芯片。
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公开(公告)号：CN1902793A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040079.5
申请日：2004-12-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 田中章雅
CPC classification number: H01S5/18305 , H01L33/20 , H01L2224/11 , H01S5/0207 , H01S5/0208 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18388 , H01S5/2063 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/423
Abstract: 一种半导体发光元件，具有多层构造体和玻璃基板。多层构造体含有积层的多个化合物半导体层，并生成光。多层构造体具有使所生成的光出射的光出射面，相对该光呈光学透明的玻璃基板，通过由氧化硅构成的膜粘合到光出射面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105790063A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610164657.0
申请日：2016-03-22
Applicant: 西安炬光科技股份有限公司
CPC classification number: H01S5/02276 , H01S5/0208 , H01S5/024
Abstract: 本发明提出一种应用于半导体激光器的衬底，解决现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该衬底的衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区，衬底底面作为与散热器的键合面；所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体，绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得：所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区，从衬底正面到衬底背面表现为导电联通；所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。
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公开(公告)号：CN102947246A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030057.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/443 , C04B35/645 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC classification number: C04B35/443 , B32B18/00 , C04B35/5154 , C04B35/58 , C04B35/6455 , C04B2235/3222 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01S5/0208 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN102055134A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010530347.9
申请日：2010-10-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/18308 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0208 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/423
Abstract: 本发明提供了一种激光二极管，通过该激光二极管，能够抑制高密度结晶缺陷和表面粗糙的产生。该激光二极管包括叠层体，该叠层体包括基板上的活性层和电流窄化层。该基板是从C面(0001)在[1-100]方向上具有大于0度的斜角的倾斜基板。
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公开(公告)号：CN1089958C
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN96110615.8
申请日：1996-07-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , G01D5/26 , G01L9/0077 , G11B7/095 , G11B7/123 , G11B7/126 , H01S5/0042 , H01S5/0208 , H01S5/02296 , H01S5/0264 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18369
Abstract: 带光检测部的面发光式半导体激光器，其发光部激光器振荡特性和光检测部光电变换特性均良好。在半导体基板上的第1第2区域上，叠层形成第1和第2导电型半导体层。第1区域中第2导电型半导体层上形成与基板垂直发出光的光谐振器。第2区域中用第1第2导电型半导体层构成光电二极管。第1区域中第2导电型半导体层厚1μm以上并用作向光谐振器注入电流的下部电极。构成光电二极管的第2导电型半导体层，在刻蚀后厚不足1μm。
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公开(公告)号：CN1152801A
公开(公告)日：1997-06-25
申请号：CN96110615.8
申请日：1996-07-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/22 , G01D5/26 , G01L9/0077 , G11B7/095 , G11B7/123 , G11B7/126 , H01S5/0042 , H01S5/0208 , H01S5/02296 , H01S5/0264 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18369
Abstract: 带光检测部的面发光式半导体激光器，其发光部激光器振荡特性和光检测部光电变换特性均良好。在半导体基板上的第1第2区域上，叠层形成第1和第2导电型半导体层。第1区域中第2导电型半导体层上形成与基板垂直发出光的光谐振器。第2区域中用第1第2导电型半导体层构成光电二极管。第1区域中第2导电型半导体层厚1μm以上并用作向光谐振器注入电流的下部电极。构成光电二极管的第2导电型半导体层，在刻蚀后厚不足1μm。
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