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公开(公告)号：CN104576414B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410827891.8
申请日：2014-12-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2224/8192
Abstract: 本发明提供一种倒装焊耐潮湿防护工艺方法，包括：将电路烘干；放入真空涂覆机中抽真空处理；装入涂覆材料并加热；对电路进行真空涂覆；填充环氧树脂。经上述处理后，在封装结构的焊点表面、芯片下表面、以及基板上表面均涂覆有涂覆材料，此薄膜大大提高了倒装焊封装结构的耐潮湿防护性能，并提高了焊点强度。这种工艺主要应用于非气密性倒装焊电路封装工艺中，可保障非气密性倒装焊电路防护的完整性，并能得到良好均匀性的防护层。
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公开(公告)号：CN106564002A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610986356.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 本发明公开了一种控制CCGA器件焊柱共面性、位置度及垂直度的工装及方法，首先，将陶瓷柱栅阵列器件的焊柱插入焊柱保持板中，通过焊柱研磨量控制框控制焊柱从焊柱保持板冒出的长度，然后将器件紧固压块等部件依次安装好，最后轻轻拧紧固螺钉，保证器件与焊柱保持网板和焊柱研磨量控制框的紧密配合，然后利用研磨设备将焊柱冒出焊柱保持网板的部分去除，再对研磨面进行抛光，通过这种方式改善焊柱的共面性，同时通过焊柱保持网板改善焊柱的位置度和垂直度。本发明的工具和方法可将焊柱共面性控制在50μm以内，焊柱位置度控制在100μm以内，焊柱垂直度控制在1°以内，远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号：CN104438010B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410708118.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于非气密性倒装焊器真空涂覆工艺的装置，包括螺孔、掩膜下座、掩膜上盖、外密封圈、中密封圈和划膜模板。真空涂覆工艺的方法为将待涂覆的已经完成芯片倒装的器件放置于方形掩膜下盖的凹槽内，盖好掩膜上盖，通过螺旋轴和内外密封圈的共同作用，在真空密闭腔室环境中，采用气相沉积方法对倒装焊器件进行真空涂覆，通过控制冷却井和裂解区之间的温度差和真空密闭腔室的真空度实现非气密性倒装焊器件真空涂覆工艺。本发明的装置可实现在非气密性倒装焊器件表面涂覆一层厚度均匀的有机物薄膜的真空涂覆工艺，保护倒装焊器件凸点免受水汽影响。
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公开(公告)号：CN105655264A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511028690.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/111 , H01L2224/742
Abstract: 本发明公开了一种CCGA器件的植柱装置及植柱方法。植柱装置包括焊柱载板、底座、压块和定位柱。植柱方法为将CCGA器件放置于底座凹槽中，然后利用定位柱将焊柱载板和底座对位固定，将焊柱依次放入焊柱载板的网孔中，通过这种方式保持焊柱在CCGA器件焊盘上的直立，并使用压块保证焊柱稳定，最后通过回流焊实现植柱工艺。本发明的装置和方法可将焊柱焊接在CCGA器件的焊盘上，能够达到98％以上的植柱成品率。
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公开(公告)号：CN104308315B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410286012.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷器件回流焊工艺的装置及方法。回流焊工艺的装置包括螺旋轴、石墨板、石墨板支架、石英加热灯、加热灯支架及密闭腔室。回流焊工艺的方法为将待回流的陶瓷器件、焊接件及焊膏放置于方形石墨板上，在真空密闭腔室中，采用石英加热灯对器件进行均匀加热，通过控制回流焊温度曲线和炉内气压实现真空环境下的回流焊工艺。本发明的装置和方法可在保障陶瓷器件均匀受热的前提下，实现无空洞、高可靠的回流焊焊接工艺，显著提高器件的回流焊焊点质量，同时此方法亦可应用于类似产品的高可靠回流焊接工艺过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102962676B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210453862.0
申请日：2012-11-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SnPb焊柱的制备装置及方法，属于陶瓷电子元器件封装技术领域。该装置包括焊丝供给机构、焊丝整平机构、焊丝切断机构、电机和控制器，焊丝供给机构包括一个旋转螺杆和一个支撑旋转螺杆的支架，焊丝整平机构包括预整平装置和精确整平装置；精确整平装置上有两个皮轮，两个皮轮固定在平板上。本发明的装置操作简便，且能保证制备的焊柱具有良好的表面状态和端面平整性。
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公开(公告)号：CN104002003A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
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公开(公告)号：CN107768325B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710786857.4
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种倒装焊封装结构及其制作方法，属于封装技术领域，所述倒装焊封装结构包括芯片和基板，所述基板的第一表面与所述芯片的有源面相对，通过所述芯片上的焊料凸点连接，其特征在于，所述芯片的有源面上设有至少一散热凸点，所述基板上设有至少一散热体，所述散热体连通所述基板的第一表面和其他表面中的至少一个表面，所述散热凸点与所述散热体一一对应且连接。本发明实施例提供的倒装焊封装结构，通过在芯片上设置散热凸点，在基板上设置散热体，使散热凸点和散热体一一配合，将芯片产生的热量快速从基板的第一表面传导至其他表面快速释放，大大提高了散热效率，有效避免了热量过高导致的器件损坏。
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公开(公告)号：CN108711561A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810287313.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L23/3677 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3731
Abstract: 一种用于陶瓷封装的新型散热通道，包括高导热基板、导热通孔、散热层等，在芯片上电镀直径30～60μm的金凸点，包括导热凸点和信号连接凸点。带金凸点的芯片通过超声热压的方式倒装到高导热基板上，其中导热凸点通过基板表面的焊盘与基板内导热通孔连接，导热通孔垂直贯穿基板在基板内部会与散热层产生连接，这样形成了芯片‑基板优良的导热通路；信号连接凸点通过基板表面的焊盘和基板上电学布线连接，也增加了芯片到基板的导热能力。本发明在满足器件电学性能的前提下，用金凸点和AlN陶瓷替换传统封装材料，并在基板中增加导热通孔和散热层结构，这种封装的结构简单，封装材料利用率高，可以大大加强器件的散热能力，减小器件对热沉的依赖。
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公开(公告)号：CN104681633B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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