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公开(公告)号：CN104308315B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410286012.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷器件回流焊工艺的装置及方法。回流焊工艺的装置包括螺旋轴、石墨板、石墨板支架、石英加热灯、加热灯支架及密闭腔室。回流焊工艺的方法为将待回流的陶瓷器件、焊接件及焊膏放置于方形石墨板上，在真空密闭腔室中，采用石英加热灯对器件进行均匀加热，通过控制回流焊温度曲线和炉内气压实现真空环境下的回流焊工艺。本发明的装置和方法可在保障陶瓷器件均匀受热的前提下，实现无空洞、高可靠的回流焊焊接工艺，显著提高器件的回流焊焊点质量，同时此方法亦可应用于类似产品的高可靠回流焊接工艺过程。
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公开(公告)号：CN110882966A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910907599.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种高密度面阵列焊柱表面多余物清理装置，包括压缩空气腔(1)、传动台(2)、螺旋轴(4)、毛刷(5)、支撑杆(6)、弹簧(7)、底座(8)；压缩空气腔(1)位于传动台(2)上方，顶部设置阀门(10)与压缩空气管相连；传动台(2)上设置与四角支撑杆(6)相对应的通孔、与器件焊柱阵列位置相同的气孔(11)，且在每四个气孔(11)中间位置设置一个螺纹孔(12)；螺旋轴(4)安装在螺纹孔(12)中，螺旋轴(4)下方设置毛刷(5)；传动台(2)通过四角的支撑杆(6)与底座(8)相连，支撑杆(6)上套有弹簧(7)。本发明克服现有高密度面阵列焊点表面异物人工清理效率低、易损伤焊柱的问题。
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公开(公告)号：CN117825914A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311712496.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于多热源集成电路的封装热测试系统，包括标准热测试芯片、封装元器件、热测试印制电路板、多通路功率驱动模块和多通道热测试模组。标准热测试芯片设计加工阵列排布的热测试单元，通过再布线设计实现与目标产品封装结构、芯片尺寸相匹配的热测试芯片，采用引线键合或倒装焊的封装互连方式将热测试芯片中的加热与测温端口引出到封装元器件的外引出端；封装元器件通过板级装联与热测试印制电路板焊接，热测试印制电路板进行多源加热通道与多点热测试通道的互连链路设计；热测试印制电路板的测试焊盘通过导线连接到多通路功率驱动模块和多通道热测试模组，实现多通路可控功率加热与多通道电学温度测试功能。
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公开(公告)号：CN104308315A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410286012.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: B23K3/00 , B23K1/0008 , B23K1/008
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷器件回流焊工艺的装置及方法。回流焊工艺的装置包括螺旋轴、石墨板、石墨板支架、石英加热灯、加热灯支架及密闭腔室。回流焊工艺的方法为将待回流的陶瓷器件、焊接件及焊膏放置于方形石墨板上，在真空密闭腔室中，采用石英加热灯对器件进行均匀加热，通过控制回流焊温度曲线和炉内气压实现真空环境下的回流焊工艺。本发明的装置和方法可在保障陶瓷器件均匀受热的前提下，实现无空洞、高可靠的回流焊焊接工艺，显著提高器件的回流焊焊点质量，同时此方法亦可应用于类似产品的高可靠回流焊接工艺过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116403972A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310338200.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/06 , H01L23/043 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 一种用于MOS芯片的陶瓷倒装焊封装结构，MOS芯片上侧具有漏极、所述漏极与漏极转接结构上侧的焊接面焊接，所述漏极转接结构下侧的转接面与陶瓷外壳的漏极焊接区域焊接；下侧具有源极和栅极，所述源极与陶瓷外壳的源极焊接区域焊接，所述栅极与陶瓷外壳的栅极焊接区域焊接；热沉通过热沉粘接胶与所述漏极转接结构顶部连接；陶瓷外壳的下侧具有阵列排布的引出端；外壳内部布线分别连接漏极焊接区域、源极焊接区域、栅极焊接区域与所述引出端的相应区域。本结构采用倒装结构，不需要粘片空间、键合空间和封口空间等，减少了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN114203647A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111448058.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/08
Abstract: 本发明公开了一种VDMOS陶瓷封装结构，包括：第一金属框架、第二金属框架、陶瓷外壳、导热一体式盖板和VDMOS芯片；其中，第一金属框架包括第一支撑段、第一上横段和第一下横段；第二金属框架包括第二支撑段、第二上横段和第二下横段。本发明在保证器件优良的电学和散热性能的同时，大大提高在高温、高湿度等恶劣环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN113517243A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110726026.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 一种非气密性陶瓷倒装焊封装散热结构，包括芯片、匀热片、散热器、液态金属和导热粘接胶；芯片无源面设计凹槽，匀热片底部设计凸起，匀热片底部凸起表面通过芯片凹槽内的液态金属与芯片实现低热阻互连，匀热片其余表面通过导热粘接胶与芯片实现互连；匀热片顶部设计凹槽，散热器底部设计凸起，散热器底部凸起通过匀热片凹槽内的液态金属与匀热片实现低热阻互连，散热器其余表面通过导热粘接胶与匀热片实现互连。本发明创造性采用液态金属实现匀热片与芯片和散热器的粘接互连，保障了界面间100％接触，显著降低互连界面热阻，同时消除了对可焊接表面和焊接的需求，解决高功耗倒装焊封装散热路径界面热阻偏高抑制散热的问题。本发明适用于单芯片、2.5D多芯片等多种封装散热结构的设计。
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公开(公告)号：CN110882966B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910907599.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种高密度面阵列焊柱表面多余物清理装置，包括压缩空气腔(1)、传动台(2)、螺旋轴(4)、毛刷(5)、支撑杆(6)、弹簧(7)、底座(8)；压缩空气腔(1)位于传动台(2)上方，顶部设置阀门(10)与压缩空气管相连；传动台(2)上设置与四角支撑杆(6)相对应的通孔、与器件焊柱阵列位置相同的气孔(11)，且在每四个气孔(11)中间位置设置一个螺纹孔(12)；螺旋轴(4)安装在螺纹孔(12)中，螺旋轴(4)下方设置毛刷(5)；传动台(2)通过四角的支撑杆(6)与底座(8)相连，支撑杆(6)上套有弹簧(7)。本发明克服现有高密度面阵列焊点表面异物人工清理效率低、易损伤焊柱的问题。
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公开(公告)号：CN115188724A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210345628.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构，属集成电路封装散热技术领域。本发明采用芯片内嵌微流道与相变材料结合的方式实现三维叠层封装散热结构设计，芯片之间微流道通过微型管通孔实现连通，可使叠层的内部芯片热量高效传导至上层热沉或散热器，是叠层芯片封装散热的一种有效解决方案。本发明适用于凸点倒装或引线键合的三维叠层封装的散热结构的设计，也可推广应用到大功率单芯片封装散热结构的设计。
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