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公开(公告)号：CN107768325A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710786857.4
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种倒装焊封装结构及其制作方法，属于封装技术领域，所述倒装焊封装结构包括芯片和基板，所述基板的第一表面与所述芯片的有源面相对，通过所述芯片上的焊料凸点连接，其特征在于，所述芯片的有源面上设有至少一散热凸点，所述基板上设有至少一散热体，所述散热体连通所述基板的第一表面和其他表面中的至少一个表面，所述散热凸点与所述散热体一一对应且连接。本发明实施例提供的倒装焊封装结构，通过在芯片上设置散热凸点，在基板上设置散热体，使散热凸点和散热体一一配合，将芯片产生的热量快速从基板的第一表面传导至其他表面快速释放，大大提高了散热效率，有效避免了热量过高导致的器件损坏。
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公开(公告)号：CN106601655A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611245712.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装工艺芯片监测装置和方法。首先预装带凸点芯片特征点图像信息至控制计算机，然后将带凸点芯片倒置，吸附安装在芯片贴装头上，根据移动机构和芯片贴装头的位置信息，控制计算机发出控制信号，使芯片位于拍照装置的可视范围，且拍照装置摄像头与被检凸点芯片对焦，实时获取带凸点芯片凸点面图像信息，并识别图像信息中的特征点，向移动机构发送运动控制信号，调整芯片贴装头位置，使得特征点与预设的特征点图像吻合，保存此时拍摄的凸点面图像信息，并判断芯片是否可用，输出显示判断结果。本发明可保障芯片倒装工艺使用的芯片为良好芯片，减少了芯片损伤、焊球损伤等问题芯片的使用，显著提高了器件原材料的控制力度。
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公开(公告)号：CN118486662A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410665642.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于电子元器件封装领域，具体涉及了一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，旨在解决当前技术难以实现MOS管大量产热的有效导出的问题。本发明包括：陶瓷外壳、盖板、源极引出端、栅极引出端、漏极引出端和MOS芯片；陶瓷外壳与盖板之间密封连接；MOS芯片设置在陶瓷外壳的内部，MOS芯片的正面与陶瓷外壳连接；MOS芯片的背面与盖板连接；MOS芯片的源极、栅极分别通过不同的键合指引出至源极引出端和栅极引出端，MOS芯片的漏极通过盖板引出至漏极引出端。本发明改进了传统的引线键合封装结构，能够做到双面散热，实现MOS管大量产热的有效导出。
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公开(公告)号：CN117825914A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311712496.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于多热源集成电路的封装热测试系统，包括标准热测试芯片、封装元器件、热测试印制电路板、多通路功率驱动模块和多通道热测试模组。标准热测试芯片设计加工阵列排布的热测试单元，通过再布线设计实现与目标产品封装结构、芯片尺寸相匹配的热测试芯片，采用引线键合或倒装焊的封装互连方式将热测试芯片中的加热与测温端口引出到封装元器件的外引出端；封装元器件通过板级装联与热测试印制电路板焊接，热测试印制电路板进行多源加热通道与多点热测试通道的互连链路设计；热测试印制电路板的测试焊盘通过导线连接到多通路功率驱动模块和多通道热测试模组，实现多通路可控功率加热与多通道电学温度测试功能。
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公开(公告)号：CN106601655B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611245712.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装工艺芯片监测装置和方法。首先预装带凸点芯片特征点图像信息至控制计算机，然后将带凸点芯片倒置，吸附安装在芯片贴装头上，根据移动机构和芯片贴装头的位置信息，控制计算机发出控制信号，使芯片位于拍照装置的可视范围，且拍照装置摄像头与被检凸点芯片对焦，实时获取带凸点芯片凸点面图像信息，并识别图像信息中的特征点，向移动机构发送运动控制信号，调整芯片贴装头位置，使得特征点与预设的特征点图像吻合，保存此时拍摄的凸点面图像信息，并判断芯片是否可用，输出显示判断结果。本发明可保障芯片倒装工艺使用的芯片为良好芯片，减少了芯片损伤、焊球损伤等问题芯片的使用，显著提高了器件原材料的控制力度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115188724A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210345628.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构，属集成电路封装散热技术领域。本发明采用芯片内嵌微流道与相变材料结合的方式实现三维叠层封装散热结构设计，芯片之间微流道通过微型管通孔实现连通，可使叠层的内部芯片热量高效传导至上层热沉或散热器，是叠层芯片封装散热的一种有效解决方案。本发明适用于凸点倒装或引线键合的三维叠层封装的散热结构的设计，也可推广应用到大功率单芯片封装散热结构的设计。
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公开(公告)号：CN109637990B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811368432.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了带不同直径凸点的晶圆制备方法，对同一成分带不同直径凸点的晶圆，先采用小开口置球网板完成小尺寸焊球的放置，随后切换大开口置球网板完成大尺寸焊球放置，整体晶圆进行统一回流；对不同成分的带不同直径凸点的晶圆，先采用小开口置球网板完成小尺寸焊球的放置和回流，随后切换大开口置球网板完成大尺寸焊球放置和回流。本发明能够通过切换置球网板在同一晶圆上实现多种直径及不同成分的凸点制备，工艺简单，成品率及可靠性高。
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公开(公告)号：CN107768325B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710786857.4
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种倒装焊封装结构及其制作方法，属于封装技术领域，所述倒装焊封装结构包括芯片和基板，所述基板的第一表面与所述芯片的有源面相对，通过所述芯片上的焊料凸点连接，其特征在于，所述芯片的有源面上设有至少一散热凸点，所述基板上设有至少一散热体，所述散热体连通所述基板的第一表面和其他表面中的至少一个表面，所述散热凸点与所述散热体一一对应且连接。本发明实施例提供的倒装焊封装结构，通过在芯片上设置散热凸点，在基板上设置散热体，使散热凸点和散热体一一配合，将芯片产生的热量快速从基板的第一表面传导至其他表面快速释放，大大提高了散热效率，有效避免了热量过高导致的器件损坏。
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公开(公告)号：CN109637990A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811368432.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了带不同直径凸点的晶圆制备方法，对同一成分带不同直径凸点的晶圆，先采用小开口置球网板完成小尺寸焊球的放置，随后切换大开口置球网板完成大尺寸焊球放置，整体晶圆进行统一回流；对不同成分的带不同直径凸点的晶圆，先采用小开口置球网板完成小尺寸焊球的放置和回流，随后切换大开口置球网板完成大尺寸焊球放置和回流。本发明能够通过切换置球网板在同一晶圆上实现多种直径及不同成分的凸点制备，工艺简单，成品率及可靠性高。
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公开(公告)号：CN108711561A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810287313.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L23/3677 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3731
Abstract: 一种用于陶瓷封装的新型散热通道，包括高导热基板、导热通孔、散热层等，在芯片上电镀直径30～60μm的金凸点，包括导热凸点和信号连接凸点。带金凸点的芯片通过超声热压的方式倒装到高导热基板上，其中导热凸点通过基板表面的焊盘与基板内导热通孔连接，导热通孔垂直贯穿基板在基板内部会与散热层产生连接，这样形成了芯片‑基板优良的导热通路；信号连接凸点通过基板表面的焊盘和基板上电学布线连接，也增加了芯片到基板的导热能力。本发明在满足器件电学性能的前提下，用金凸点和AlN陶瓷替换传统封装材料，并在基板中增加导热通孔和散热层结构，这种封装的结构简单，封装材料利用率高，可以大大加强器件的散热能力，减小器件对热沉的依赖。
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