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公开(公告)号：CN104681633B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN106653601A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611020629.8
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种抗低剂量率辐照的双极器件制造方法。该方法采用PSG(磷硅玻璃)+SiO2双层电极隔离介质和SiO2+BPSG(硼磷硅玻璃)+SiO2的多层钝化结构。本结构一方面大大降低了电极隔离介质层中的总缺陷数量；另一方面通过PSG和BPSG对正电荷的吸附性，阻止辐照环境下感生的正电荷在Si‑SiO2界面积累，进而提高双极型器件的抗低剂量率辐照能力。本发明涉及的制造方法工艺步骤简单，与目前普遍应用的Si制造工艺兼容，可以用来制造具有抗低剂量率辐照能力的双极型器件。
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公开(公告)号：CN104237300A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410431067.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种玻封表贴二极管稳态热阻测试夹具和测试方法，给出了一种测试夹具的结构以及利用该夹具进行热阻测试的方法。其中测试夹具包括两个电极插槽、绝缘绝热平板和绝缘导热平板；两个电极插槽贯穿安装在绝缘绝热平板上，用于连接待测玻封表贴二极管的两个电极；绝缘导热平板用于与绝缘绝热平板配合夹持待测玻封表贴二极管。本发明可以实现玻封表贴二极管电极之间、电极与热阻测试仪恒温台之间的绝缘，同时实现良好的导热，可靠便捷的电连接，从而能够通过热阻测试仪实现对玻封表贴二极管的稳态热阻测试。
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公开(公告)号：CN103578978A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310487942.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
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公开(公告)号：CN111584365B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010358705.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，该方法在栅极深槽的边缘设置一个与源极N+金属相连接的屏蔽槽，槽栅与屏蔽槽之间间距尽量小，通过屏蔽栅与槽栅的耦合可有效减小器件米勒电容值，降低开关损耗改善器件动态特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件米勒电容，提高器件开关速度减小开关损耗。相比分离栅槽栅VDMOS器件制造工艺更为简单，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108493113A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810288611.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法，减小VDMOS器件的导通电阻，同时提高器件的抗辐照能力。本发明在形成VDMOS器件结构的P+区时，不需要光刻，而是采用氮化硅侧墙做掩蔽，进行浓硼的自对准注入。本发明适用于制造小特征尺寸的器件，有利于增加电流密度，减小导通电阻；同时，本发明可以有效的减小器件内部寄生三极管的基区横向电阻，有利于抑制寄生三极管开启，提高VDMOS器件的抗单粒子烧毁能力。本发明方法与传统VDMOS芯片的制造技术兼容，工艺步骤简单，可以用来制造高可靠、高效率的VDMOS芯片。
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公开(公告)号：CN108269859A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711322420.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L25/07 , H01L23/373 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管和第二单向二极管结构相同。本发明的管芯与管芯之间焊接温度较高，为后续管芯密封、引线焊接等工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对管芯焊接结构的影响。管芯之间起连接作用的是共晶体，在固相下没有复杂的相变，稳定性强，提高器件可靠性。本发明工艺简单，制造成本低，可以用来制造漏电流低、钳位电压易控制、体积小、热阻小、可靠性高的双向瞬变电压抑制二极管。结构适应于玻璃封装、塑封、金属封装等多种封装形式。
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公开(公告)号：CN104576398B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410770922.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，栅氧化层形成之后在其上蒸发铝，然后高温扩铝，形成Si‑O‑Al结构的栅介质。本发明可以减少VDMOS器件在受到辐照时，栅介质中积累的正电荷，提高器件的抗总剂量辐照能力；同时Si‑O‑Al结构的栅介质具有比常规二氧化硅栅介质更高的介电常数，可以提高器件的抗单粒子栅穿能力。本发明的制造方法有效的克服了抗总剂量辐照和单粒子栅穿对于栅介质厚度需求的矛盾，能够同时实现两者的优化，工艺简单，有利于提高VDMOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN108269859B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711322420.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L25/07 , H01L23/373 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管和第二单向二极管结构相同。本发明的管芯与管芯之间焊接温度较高，为后续管芯密封、引线焊接等工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对管芯焊接结构的影响。管芯之间起连接作用的是共晶体，在固相下没有复杂的相变，稳定性强，提高器件可靠性。本发明工艺简单，制造成本低，可以用来制造漏电流低、钳位电压易控制、体积小、热阻小、可靠性高的双向瞬变电压抑制二极管。结构适应于玻璃封装、塑封、金属封装等多种封装形式。
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公开(公告)号：CN111584365A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358705.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，该方法在栅极深槽的边缘设置一个与源极N+金属相连接的屏蔽槽，槽栅与屏蔽槽之间间距尽量小，通过屏蔽栅与槽栅的耦合可有效减小器件米勒电容值，降低开关损耗改善器件动态特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件米勒电容，提高器件开关速度减小开关损耗。相比分离栅槽栅VDMOS器件制造工艺更为简单，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
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