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公开(公告)号：CN109638090A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811378250.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基紫外减反射膜结构及其制备方法，属于光电探测器件加工技术领域。所述结构包括减反射膜层和电极，所述减反射膜层包括叠放的SiO2层和Al2O3层，所述减反射膜层设有通孔，所述电极全部或部分淀积在所述通孔内。本发明实施例提供的碳化硅基紫外减反射膜结构通过将Al2O3膜层与SiO2膜层结合使用，防止了外界杂质对SiO2膜层的污染和腐蚀，提高了探测器器可靠性和寿命，同时，Al2O3层的表面粘度低、导热性能好，与SiO2膜层协同作用确保碳化硅基紫外探测器测量的准确性和灵敏度。
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公开(公告)号：CN104681633B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN104795450B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN108039320A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711115312.7
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/225 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。
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公开(公告)号：CN104576398A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410770922.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L29/401 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，栅氧化层形成之后在其上蒸发铝，然后高温扩铝，形成Si-O-Al结构的栅介质。本发明可以减少VDMOS器件在受到辐照时，栅介质中积累的正电荷，提高器件的抗总剂量辐照能力；同时Si-O-Al结构的栅介质具有比常规二氧化硅栅介质更高的介电常数，可以提高器件的抗单粒子栅穿能力。本发明的制造方法有效的克服了抗总剂量辐照和单粒子栅穿对于栅介质厚度需求的矛盾，能够同时实现两者的优化，工艺简单，有利于提高VDMOS器件的抗辐照性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584365B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010358705.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，该方法在栅极深槽的边缘设置一个与源极N+金属相连接的屏蔽槽，槽栅与屏蔽槽之间间距尽量小，通过屏蔽栅与槽栅的耦合可有效减小器件米勒电容值，降低开关损耗改善器件动态特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件米勒电容，提高器件开关速度减小开关损耗。相比分离栅槽栅VDMOS器件制造工艺更为简单，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN108493113A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810288611.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法，减小VDMOS器件的导通电阻，同时提高器件的抗辐照能力。本发明在形成VDMOS器件结构的P+区时，不需要光刻，而是采用氮化硅侧墙做掩蔽，进行浓硼的自对准注入。本发明适用于制造小特征尺寸的器件，有利于增加电流密度，减小导通电阻；同时，本发明可以有效的减小器件内部寄生三极管的基区横向电阻，有利于抑制寄生三极管开启，提高VDMOS器件的抗单粒子烧毁能力。本发明方法与传统VDMOS芯片的制造技术兼容，工艺步骤简单，可以用来制造高可靠、高效率的VDMOS芯片。
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公开(公告)号：CN104576398B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410770922.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，栅氧化层形成之后在其上蒸发铝，然后高温扩铝，形成Si‑O‑Al结构的栅介质。本发明可以减少VDMOS器件在受到辐照时，栅介质中积累的正电荷，提高器件的抗总剂量辐照能力；同时Si‑O‑Al结构的栅介质具有比常规二氧化硅栅介质更高的介电常数，可以提高器件的抗单粒子栅穿能力。本发明的制造方法有效的克服了抗总剂量辐照和单粒子栅穿对于栅介质厚度需求的矛盾，能够同时实现两者的优化，工艺简单，有利于提高VDMOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN114783879A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210316253.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L23/552 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法，属于半导体器件制造领域；通过在平面栅超结VDMOS的JFET区设置一个与源极连通的肖特基，通过设置肖特基结构能够快速抽取出重离子入射器件过程中产生的空穴，从而减少流经P型基区的空穴数目，有效抑制寄生晶体管的开启，从而提升器件抗单粒子烧毁能力；本发明该结构可有效排出重离子入射过程产生的空穴，且减少栅氧层下空穴的聚集情况，提高平面栅超结器件抗单粒子能力，同时与常规超结VDMOS加工工艺相兼容，易于加工。
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公开(公告)号：CN109638090B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201811378250.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基紫外减反射膜结构及其制备方法，属于光电探测器件加工技术领域。所述结构包括减反射膜层和电极，所述减反射膜层包括叠放的SiO2层和Al2O3层，所述减反射膜层设有通孔，所述电极全部或部分淀积在所述通孔内。本发明实施例提供的碳化硅基紫外减反射膜结构通过将Al2O3膜层与SiO2膜层结合使用，防止了外界杂质对SiO2膜层的污染和腐蚀，提高了探测器器可靠性和寿命，同时，Al2O3层的表面粘度低、导热性能好，与SiO2膜层协同作用确保碳化硅基紫外探测器测量的准确性和灵敏度。
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