-
公开(公告)号：CN103056500A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
-
公开(公告)号：CN114141729A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111327930.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/04 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构，包括封装整体结构、T型盖板、导热胶层；T型盖板包括凸台区、焊接区，其中T型盖板通过焊接区与封装整体结构连接，凸台区的位置与封装整体结构内的芯片相对应，在凸台区和芯片之间涂导热胶层；其中导热胶层为树脂类粘接胶，导热性能优于2W/mK；凸台区的尺寸略小于芯片的尺寸，凸台区和芯片之间的间隙为20μm～100μm；凸台区的表面粗糙度小于20μm；凸台厚度不小于0.5mm，凸台区的倒角半径不小于0.2mm。采用本发明的散热方法，能够为芯片叠层结构额外提供一个散热通道，且散热通道为金属盖板，盖板外侧为外部环境，与仅依靠底层芯片向陶瓷外壳的散热结构相比，具有较强的散热能力。
-
公开(公告)号：CN104002003B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)、将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
-
公开(公告)号：CN103077898B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210595066.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 一种用于双腔体CQFP型陶瓷外壳上下腔同时上盖的模具，包括上模和下模，上模上设有上腔盖板定位容槽、上模钢夹出口，所述的上腔盖板定位容槽用于放置上腔盖板；下模上设有下腔盖板定位容槽、陶瓷外壳主体定位容槽、陶瓷绝缘连筋容槽、下模钢夹出口，所述的下腔盖板定位容槽用于放置下腔盖板，陶瓷外壳主体定位容槽用于放置陶瓷外壳主体部分，陶瓷绝缘连筋容槽用于放置陶瓷外壳中的绝缘连筋部分；使用时，下腔盖板、陶瓷外壳及上腔盖板均放置好后，使用钢夹固定上腔盖板和下腔盖板，上模钢夹出口和下模钢夹出口用于撤掉模具时钢夹的出口。本发明模具操作简单、快捷、一致性好。
-
公开(公告)号：CN103056500B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104002003A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
-
公开(公告)号：CN103077898A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210595066.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 一种用于双腔体CQFP型陶瓷外壳上下腔同时上盖的模具，包括上模和下模，上模上设有上腔盖板定位容槽、上模钢夹出口，所述的上腔盖板定位容槽用于放置上腔盖板；下模上设有下腔盖板定位容槽、陶瓷外壳主体定位容槽、陶瓷绝缘连筋容槽、下模钢夹出口，所述的下腔盖板定位容槽用于放置下腔盖板，陶瓷外壳主体定位容槽用于放置陶瓷外壳主体部分，陶瓷绝缘连筋容槽用于放置陶瓷外壳中的绝缘连筋部分；使用时，下腔盖板、陶瓷外壳及上腔盖板均放置好后，使用钢夹固定上腔盖板和下腔盖板，上模钢夹出口和下模钢夹出口用于撤掉模具时钢夹的出口。本发明模具操作简单、快捷、一致性好。
-
公开(公告)号：CN203179868U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320174866.5
申请日：2013-04-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路内引线连接结构。采用弧形键合丝结构改变了传统弧形理念，通过弧形参数设置，使键合丝高低交错分布，这种键合丝弧形设置的主要参数包括第一个转折位置、第一个转折角度、第二个转折位置、第二个转折角度。使用这种弧形，可提高高密度、超细间距、多层芯片PAD对多排键合指键合工艺的可靠性，在元器件满足机械试验考核标准前提下，键合丝摆动时无碰丝短路情况，提高产品抗振动、抗冲击能力。
-
公开(公告)号：CN102446803B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110291342.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 一种引线键合夹具，包括固定轴、齿轮箱、小齿轮、大齿轮、小轴和大轴；固定轴一端与设备工作台连接，另一端与齿轮箱连接，大齿轮和小齿轮啮合，小轴和大轴分别是小齿轮和大齿轮的中心轴，所述大齿轮和小齿轮镶嵌于齿轮箱内部，大齿轮的端面有大齿轮凸台，大齿轮凸台的端面有均匀分布的通孔，用于固定被夹器件。通过小齿轮的旋转，带动大齿轮转动，大齿轮同时带动固定于其上的器件转动，使器件切换到下一个工作面。本发明实现了器件的立体空间中多个侧面的连续切换，避免了器件的多次安装，大大节约了引线键合夹具暂停时间，提高了生产效率。所述夹具不仅操作简便，而且提高了加工精度，保证了良好的焊接质量。
-
公开(公告)号：CN102157405B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010617973.1
申请日：2010-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法，通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃，保温6分钟，时间和温度均高于传统焊接条件，使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料，导致焊料中Au/Sn的成份发生改变，避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题；本发明在焊料熔化后进行抽真空，抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡，有效减少了焊接区域形成空洞的几率，使焊接空洞得到了有效的控制；本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺，有利于整个封装生产的批量生产，提高产品的一致性水平。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.054 seconds)
