专利检索 cpc:"H01L2924/0101" 第 1 页

1.

发明授权
高温粘结组合物,基材的粘结方法,和3-D半导体器件有权

公开(公告)号：CN101649177B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910167032.X

申请日：2009-08-14

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 滨田吉隆 , 八木桥不二夫 , 浅野健

IPC分类号： C09J183/00 , C09J5/00 , H01L21/50

CPC分类号： C09J183/14 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/54 , H01L21/187 , H01L23/296 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2224/83855 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01056 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/0715 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299

摘要： 提供一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物，其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子，和具有至少三个羟基和/或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol％。

2.

发明授权
一种焊料供给方法以及焊料凸起形成方法失效

公开(公告)号：CN1701649B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN02829985.X

申请日：2002-12-13

申请人： 株式会社田村制作所 , 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 小野崎纯一 , 吉野雅彦 , 齐藤浩司 , 安藤晴彦 , 坂本伊佐雄 , 白井大 , 大桥勇司

IPC分类号： H05K3/34 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 , B23K3/0623 , H01L21/288 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H05K3/3484 , H05K2203/0425 , H05K2203/0776 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供的焊料供给方法，不仅实现焊盘电极的精细间距，而且获得焊料量多而且随机误差也小的焊料凸起。首先，使表面(21)朝上将基板(20)置于液体槽(11)内的非活性液体(13)中。接着，从焊料微粒形成单元(15)将包含焊料微粒(14)的非活性液体(13)送至液体槽(11)，使焊料微粒(14)从供给管(16)下落到非活性液体(13)中的基板(20)上。焊料微粒(14)依靠重力自然下落到达基板(20)上。到达基板(20)的焊盘电极上的焊料微粒(14)，靠重力停留于该位置，经过焊料润湿融合时间的话，便在焊盘电极表面扩展而形成焊料被膜。

3.

发明授权
引线清洗导向装置失效

公开(公告)号：CN100590826C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810005590.1

申请日：2008-02-14

申请人： 株式会社新川

发明人： 掘之正幸 , 藤田和雄

IPC分类号： H01L21/60 , B23K37/00 , B23K20/00 , B23K101/40

CPC分类号： B08B7/0035 , B65H57/00 , B65H2301/5115 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/80 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2224/786 , H01L2224/85009 , H01L2224/8501 , H01L2224/85013 , H01L2224/851 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01049

摘要： 本发明涉及引线清洗导向装置。设有等离子发生室(41)，从等离子用气体供给部(34)供给等离子用气体，从等离子发生用的高频电力供给部(32)供给高频电力，引线(12)通过设在等离子发生室(41)的绝缘套(43，45)的导向孔(44，46)。引线(12)接地，在引线(12)和等离子发生室之间通以高频电力，在等离子发生室内部使得等离子用气体等离子化，清洗引线(12)。使得引线输出部侧导向孔(44)的孔径比焊接工具侧导向孔(46)的孔径大，以便使得从引线输出部侧的导向孔(44)流出的引线清洗后的气体流量比从焊接工具侧的导向孔(46)流出的引线清洗后的气体流量多。在接合装置中，焊接时在引线路线上能有效除去引线表面异物。

4.

发明公开
热固化型芯片接合薄膜有权

公开(公告)号：CN101617395A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880005662.0

申请日：2008-02-04

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 高本尚英

IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/301

CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

摘要： 本发明提供与被粘物的密合性优良、且拾取性良好的热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固化型芯片接合薄膜，在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有15～30重量％热塑性树脂成分及60～70重量％热固性树脂成分作为主成分，并且热固化前的表面自由能为37mJ/m2以上且小于40mJ/m2。

5.

发明授权
结构高度低的封装元器件及制造方法失效转让

公开(公告)号：CN100561860C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN02826401.0

申请日：2002-12-11

申请人： 埃普科斯股份有限公司

发明人： C·霍夫曼 , J·波尔特曼 , H·克吕格尔

IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/06 , H03H3/08 , H03H9/05 , H03H9/10

CPC分类号： H03H9/1078 , H01L24/31 , H01L29/0657 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11334 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/73203 , H01L2224/83136 , H01L2224/83951 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/09701 , H01L2924/10157 , H01L2924/12042 , H01L2924/1517 , H01L2924/15787 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H03H9/059 , H01L2924/0105 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00

摘要： 为了简化可靠地封装元器件而提议，在芯片和载体基底之间的连接借助连接焊料球来完成，这些焊料球埋在载体基底的凹槽里。此外，元器件直接位于载体基底上，尤其是位于一个围绕着在芯片上的元器件构造的框上。

6.

发明授权
用于电设备的ESD保护装置失效转让

公开(公告)号：CN100470800C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510137356.0

申请日：2005-11-22

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： M·库茨门卡

IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/60

CPC分类号： H01L23/60 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/4824 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/0101 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01054 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种用于电设备的ESD保护装置，该电设备包括具有内部端子的电路结构，该内部端子通过接合线来连接到电设备的外部端子，该ESD保护装置具有：填充气体的空腔，接合线设置在该空腔中；以及在空腔中的参考电极，其中该接合线的接合线端位于空腔中，以使得该接合线端与该参考电极之间的距离小于该接合线的其余部分与该参考电极之间的距离，从而当施加一个超过预定阈值的电位给外部端子时，从接合线端到参考电极发生气体放电。

7.

发明授权
集成半导体结构失效

公开(公告)号：CN100440497C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03815714.4

申请日：2003-06-12

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： R·鲍尔 , W·厄特勒 , T·弗罗赫米勒 , B·戈尔勒 , R·格雷德尔 , O·纳格勒 , O·施梅克比尔 , W·斯塔德勒

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05556 , H01L2224/056 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00

摘要： 本发明系关于一种集成半导体结构，其具基板(1)，至少一位于该基板(1)上的半导体组件(2)，具表面(F)的垫金属(3)，位于该垫金属(3)及该基板(1)之间的许多金属层(4.x)，及许多绝缘层(5，y)，其将该金属层(4.x)彼此分开，至少在部分该至少一半导体组件(2)上延伸的该垫金属(3)。本发明特征在于在该垫金属(3)的表面(F)下方，至少该顶部两金属层(4.x、4.x-1)具一种至少包括两相邻的互连(4.x.z、4.x-1.z)的结构。