公开(公告)号：CN101911289A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122700.0

申请日：2008-12-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： S·K·波兹德 ,  R·查特杰

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

摘要： 一种管芯上管芯组件，具有第一管芯(10)和第二管芯(50)。第一管芯(10)具有第一接触延伸件(28、42)以及使第一高度延伸至第一管芯以上的栓柱(32、44、45)。第二管芯(50)具有与第一接触件连接的第二接触延伸件(68)并且具有使第二高度延伸至第二管芯以上的包围栓柱的限制部件(62)。栓柱延伸超过限制部件。因为栓柱延伸超过限制部件，所以在第一及第二管芯之间的横向移动能够引起栓柱变得与限制部件接触并且由限制部件所约束。从而栓柱和限制部件有用于约束第一及第二管芯之间的移动。

公开(公告)号：CN101911292A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123823.6

申请日：2008-12-16

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： V·马修 ,  E·阿科斯塔 ,  R·查特杰 ,  S·S·加西亚

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种方法，形成到第一半导体器件(12，52，74)的外部接触件(14，54，78)的微焊盘(30，70，42)。在外部接触件上形成铜柱(＝20，24，66，88，82)。柱在第一半导体器件的表面上延伸。将铜柱浸入锡的溶液中。锡(28)置换柱的铜的至少95％，并优选大于99％。结果产生具有小于5％的重量的铜的锡微焊盘。由于微焊盘基本为纯锡，因此在不接合第一半导体器件的微焊盘的时间期间不会形成金属间接合。由于不形成金属间接合，因此导致较小的微焊盘尺寸。当将第一半导体器件接合到上覆的第二半导体器件时，接合尺寸不显著增加堆叠芯片的高度。

公开(公告)号：CN101496166A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200680051815.6

申请日：2006-12-07

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： R·查特杰

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

摘要： 半导体器件(10)和方法，具有带邻接贮存器开口(44、46、48)的互连(38、40、42)。电介质层(20)作为一个或多个互连层(18)的最顶部的一部分形成。在电介质层中形成的开口(30)导致沿开口侧壁部分形成电介质层的修改部分(32)。开口填充有导电材料，例如金属。电介质层(20)的暴露部分(22)被除去以便形成在电介质层上延伸的导电材料的凸出焊盘(38、40、42)。贮存器开口是通过除去电介质层的修改部分而靠近凸出焊盘形成的。当半导体器件与另一个器件(100)，晶片或芯片，键合在一起时，横向流动的金属集中在贮存器开口中并保证半导体器件与另一器件之间实现可靠的电气连接。

公开(公告)号：CN101911289B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880122700.0

申请日：2008-12-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： S·K·波兹德 ,  R·查特杰

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

摘要： 一种管芯上管芯组件，具有第一管芯(10)和第二管芯(50)。第一管芯(10)具有第一接触延伸件(28、42)以及使第一高度延伸至第一管芯以上的栓柱(32、44、45)。第二管芯(50)具有与第一接触件连接的第二接触延伸件(68)并且具有使第二高度延伸至第二管芯以上的包围栓柱的限制部件(62)。栓柱延伸超过限制部件。因为栓柱延伸超过限制部件，所以在第一及第二管芯之间的横向移动能够引起栓柱变得与限制部件接触并且由限制部件所约束。从而栓柱和限制部件有用于约束第一及第二管芯之间的移动。

公开(公告)号：CN101911292B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880123823.6

申请日：2008-12-16

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： V·马修 ,  E·阿科斯塔 ,  R·查特杰 ,  S·S·加西亚

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种方法，形成到第一半导体器件(12，52，74)的外部接触件(14，54，78)的微焊盘(30，70，42)。在外部接触件上形成铜柱(＝20，24，66，88，82)。柱在第一半导体器件的表面上延伸。将铜柱浸入锡的溶液中。锡(28)置换柱的铜的至少95％，并优选大于99％。结果产生具有小于5％的重量的铜的锡微焊盘。由于微焊盘基本为纯锡，因此在不接合第一半导体器件的微焊盘的时间期间不会形成金属间接合。由于不形成金属间接合，因此导致较小的微焊盘尺寸。当将第一半导体器件接合到上覆的第二半导体器件时，接合尺寸不显著增加堆叠芯片的高度。

公开(公告)号：CN101496166B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680051815.6

申请日：2006-12-07

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： R·查特杰

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

摘要： 半导体器件(10)和方法，具有带邻接贮存器开口(44、46、48)的互连(38、40、42)。电介质层(20)作为一个或多个互连层(18)的最顶部的一部分形成。在电介质层中形成的开口(30)导致沿开口侧壁部分形成电介质层的修改部分(32)。开口填充有导电材料，例如金属。电介质层(20)的暴露部分(22)被除去以便形成在电介质层上延伸的导电材料的凸出焊盘(38、40、42)。贮存器开口是通过除去电介质层的修改部分而靠近凸出焊盘形成的。当半导体器件与另一个器件(100)，晶片或芯片，键合在一起时，横向流动的金属集中在贮存器开口中并保证半导体器件与另一器件之间实现可靠的电气连接。