公开(公告)号：CN105684140A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380077033.X

申请日：2013-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  J·Y·郑 ,  H-K·张 ,  J·缪尔海德 ,  A·特朗 ,  P·普瑞 ,  J·姜 ,  N·M·帕特尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

摘要： 本文描述了3D互连结构及其制造方法，其中，金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)一起被集成，并采用了“穿过抗蚀剂镀覆”型工艺流程。氮化硅或碳化硅钝化层可被供于减薄器件晶片背面和RDL之间，从而在工艺流程期间提供密封阻隔和抛光停止层。

公开(公告)号：CN105684140B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201380077033.X

申请日：2013-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  J·Y·郑 ,  H-K·张 ,  J·缪尔海德 ,  A·特朗 ,  P·普瑞 ,  J·姜 ,  N·M·帕特尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

摘要： 本文描述了3D互连结构及其制造方法，其中，金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)一起被集成，并采用了“穿过抗蚀剂镀覆”型工艺流程。氮化硅或碳化硅钝化层可被供于减薄器件晶片背面和RDL之间，从而在工艺流程期间提供密封阻隔和抛光停止层。