公开(公告)号：CN110676322A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910594477.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  R.K.约希 ,  R.西米尼克 ,  T.巴斯勒 ,  M.格鲁贝尔 ,  J.希尔森贝克 ,  D.彼得斯 ,  R.鲁普 ,  W.肖尔茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L23/485 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。一种碳化硅器件，包括碳化硅衬底；包括镍、硅和铝的接触层；包括钛和钨的阻挡层结构；包含铜的金属化层。接触层位于碳化硅衬底上。接触层位于碳化硅衬底和阻挡层结构的至少一部分之间。阻挡层结构位于碳化硅衬底和金属化层之间。

公开(公告)号：CN105374855A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510479756.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.K.约希

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02225

Abstract: 本发明涉及器件和用于制造器件的方法。在各种实施例中，提供了形成器件的方法。该方法包括在衬底之上形成金属层；以及形成至少一个屏障层。屏障层的形成包括在衬底之上沉积包括金属络合物的溶液；以及至少部分地分解金属络合物的配体。

公开(公告)号：CN107204366B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201710160474.6

申请日：2017-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.鲍姆加特尔 ,  O.布兰克 ,  O.黑尔蒙的 ,  R.K.约希 ,  M.佩尔茨尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B81B7/00

Abstract: 公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

公开(公告)号：CN107204366A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710160474.6

申请日：2017-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.鲍姆加特尔 ,  O.布兰克 ,  O.黑尔蒙的 ,  R.K.约希 ,  M.佩尔茨尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B81B7/00

Abstract: 公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

公开(公告)号：CN110416070A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910343213.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.卡恩 ,  O.胡姆贝尔 ,  R.K.约希 ,  P.S.科赫 ,  A.科普罗夫斯基 ,  B.莱特尔 ,  C.迈尔 ,  G.施密特 ,  J.施泰因布伦纳

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/12

Abstract: 公开了半导体器件和制造。一种用于制造高电压半导体器件的方法，包括将半导体衬底暴露于等离子体以在半导体衬底上形成保护物质层。半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上的保护物质层。

公开(公告)号：CN105374855B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510479756.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.K.约希

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及器件和用于制造器件的方法。在各种实施例中，提供了形成器件的方法。该方法包括在衬底之上形成金属层；以及形成至少一个屏障层。屏障层的形成包括在衬底之上沉积包括金属络合物的溶液；以及至少部分地分解金属络合物的配体。