公开(公告)号：CN107204366B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201710160474.6

申请日：2017-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.鲍姆加特尔 ,  O.布兰克 ,  O.黑尔蒙的 ,  R.K.约希 ,  M.佩尔茨尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B81B7/00

Abstract: 公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

公开(公告)号：CN107204366A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710160474.6

申请日：2017-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.鲍姆加特尔 ,  O.布兰克 ,  O.黑尔蒙的 ,  R.K.约希 ,  M.佩尔茨尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B81B7/00

Abstract: 公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

公开(公告)号：CN104347720A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410385691.1

申请日：2014-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O.布兰克 ,  M.珀尔兹尔 ,  M.H.菲勒迈尔 ,  A.伍德

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11526 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。本发明涉及半导体装置，该半导体装置具有：具有第一表面的半导体本体；第一沟槽中的IGFET的具有多晶硅的栅电极结构，所述第一沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中；以及第二沟槽中的与IGFET的栅电极结构不同并且具有多晶硅的半导体元件，所述第二沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中；其中IGFET和与该IGFET不同的半导体元件的多晶硅终结于与所述半导体本体的第一表面邻接的绝缘层的上侧之下。