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公开(公告)号：CN100527363C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510129715.8
申请日：2005-12-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 一种开口的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN1184672C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN01140915.0
申请日：2001-09-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/4757
Abstract: 本发明提供一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in-situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。
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公开(公告)号：CN1979774A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129715.8
申请日：2005-12-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN1459858A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03100966.2
申请日：2003-01-02
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L27/108 , H01L28/90
Abstract: 一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIMcapacitor structure，metainsulator－metal capacitor structure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。
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公开(公告)号：CN100345297C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03100966.2
申请日：2003-01-02
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L27/108 , H01L28/90
Abstract: 一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIM capacitor structure，meta-insulator-metal capacitor structure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1773681A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200410092324.9
申请日：2004-11-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/02 , G03F7/36
Abstract: 一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板，再以含氢等离子处理此基板，然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中，氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质，令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。
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公开(公告)号：CN100397617C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02146220.8
申请日：2002-10-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/822
Abstract: 一种制作一高密度电容的方法，先于一半导体基底表面的一介电层中形成至少一第一沟槽，接着于该半导体基底表面依序形成一第一衬层以及一第一导电层，并于该半导体基底表面进行一第一平坦化制程；随后于该介电层中形成至少一第二沟槽，且该第二沟槽与该第一沟槽具有一共用侧壁；之后再于该半导体基底表面依序形成一电容介电层、一第二衬层以及一第二导电层，于该半导体基底表面进行一第二平坦化制程，并暴露出该第一导电层表面与该第二导电层表面，使该第一导电层、该电容介电层与该第二导电层形成具有垂直三维空间结构的该高密度电容；本方法可大幅降低线路设计面积、减少光罩使用数目，达到提高电容密度以及元件积集度、以及降低生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN100392821C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410092324.9
申请日：2004-11-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/02 , G03F7/36
Abstract: 一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板，再以含氢等离子处理此基板，然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中，氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质，令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。
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公开(公告)号：CN1490869A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02146220.8
申请日：2002-10-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/822
Abstract: 一种制作一高密度电容的方法，先于一半导体基底表面的一介电层中形成至少一第一沟槽，接着于该半导体基底表面依序形成一第一衬层以及一第一导电层，并于该半导体基底表面进行一第一平坦化制程；随后于该介电层中形成至少一第二沟槽，且该第二沟槽与该第一沟槽具有一共用侧壁；之后再于该半导体基底表面依序形成一电容介电层、一第二衬层以及一第二导电层，于该半导体基底表面进行一第二平坦化制程，并暴露出该第一导电层表面与该第二导电层表面，使该第一导电层、该电容介电层与该第二导电层形成具有垂直三维空间结构的该高密度电容；本方法可大幅降低线路设计面积、减少光罩使用数目，达到提高电容密度以及元件积集度、以及降低生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN1411041A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN01140915.0
申请日：2001-09-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/4757
Abstract: 本发明提供一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in－situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。
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