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公开(公告)号：CN102891085B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110202802.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括具有多个浅沟隔离的基底、至少一设置于该基底上的金属栅极、以及至少一对设置于该金属栅极两侧的辅助结构。
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公开(公告)号：CN102738083B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN100345297C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03100966.2
申请日：2003-01-02
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L27/108 , H01L28/90
Abstract: 一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIM capacitor structure，meta-insulator-metal capacitor structure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。
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公开(公告)号：CN1191623C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02126847.9
申请日：2002-07-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/76813
Abstract: 本发明有关一种制作双镶嵌(copper dual damascene)插销(via)的方法，特别是有关一种以金属硬遮罩层(metal hard mask layer)制作双镶嵌插销的方法。本发明利用一金属层作为硬遮罩层，以使插销形成之后，隔离层(isolation layer)的表面可维持一平面而非一圆滑凸面，以防止插销相互连结而产生漏电流的缺陷。
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公开(公告)号：CN1189924C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02131817.4
申请日：2002-09-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/302 , B24B7/22
CPC classification number: B24B37/04 , B24B49/10 , B24B57/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明为一种可即时补偿研磨曲面的控制系统，用于一化学机械研磨机台中，该化学机械研磨机台包含有至少一第一环状区域以及一第二环状区域，一设有一研磨垫的研磨平台，一至少包含有二分别对应于该第一、第二环状区域的内、外圈并用来承载一待研磨晶圆的晶圆载座设置于该研磨垫上方，以及一研磨液供应装置；该控制系统包含有至少一第一感测器以及一第二感测器，分别设置于该第一、第二环状区域上，以及一控制单元，用以依据该第一、第二感测器的信号以及一预设的程序来分别调整该第一、第二环状区域的研磨液供应量以及该晶圆载座的内、外圈的施力量；本控制系统可即时校正误差，进而得以更加精确地控制研磨均匀度，改善产品良率。
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公开(公告)号：CN1471141A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03100072.X
申请日：2003-01-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨(CMP)设备，适用于现存的制作工艺。本发明的CMP设备使用小于晶圆尺寸的细长研磨压板，所以布局可以压缩且空间可以有效的被利用，以达到高产能以及有效的生产管理，本发明提供一种CMP设备，针对不同的制作工艺利用选择各种研磨垫以及/或研浆，可以进行较有弹性的CMP制作工艺。
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公开(公告)号：CN1447393A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02156453.1
申请日：2002-12-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/768 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/31051
Abstract: 一种具有高选择比的平坦化方法，用于半导体晶圆的平坦化制程，该半导体晶圆具有一硬罩幕，一停止层设于该硬罩幕层上，及一阻障层设于该停止层上；该平坦化方法首先对该阻障层实施一第一化学机械研磨制程，使其暴露出该停止层，而后再去除该停止层；其中，该阻障层对该停止层具有一研磨选择比大于50；由于本发明于硬罩幕与阻障层间设有一停止层，并且由于该停止层的材质与该阻障层差异极大，因此可以避免习知制程中该硬罩幕因研磨选择比过低而损失过多的问题，该半导体晶圆的表面可达到高度平坦化的效果；且制程余裕也随之得以大幅增加，进而有效地控制该半导体晶圆的品质。
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公开(公告)号：CN1402310A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02140151.9
申请日：2002-07-04
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , B24B1/00 , C09K3/14
Abstract: 一种化学机械研磨的方法，是在化学机械研磨制程中，于阻障层研磨液中添加一化学助剂而变成金属层研磨液，并凭借化学助剂的添加与否调整研磨液的性质，以分别用来去除金属层与阻障层。如此可免去熟知的研磨液转换过程中清洗研磨垫所需的繁复步骤，并可避免因研磨液的差异而产生的酸碱冲击，以及因此所造成的元件缺陷等问题。
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公开(公告)号：CN102983079A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110261301.6
申请日：2011-09-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上。接续，形成一氧化层于鳍状结构以外的基底上。之后，形成一栅极覆盖部分氧化层及部分鳍状结构。而后，进行一蚀刻工艺，蚀刻栅极侧边的部分鳍状结构，而于鳍状结构中形成至少一凹槽。然后，进行一外延工艺，以于凹槽中形成一外延层，其中外延层具有一六角形的剖面结构。
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公开(公告)号：CN1917169A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510092413.8
申请日：2005-08-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明披露一种以无电镀在衬底上形成金属阻障盖层的方法，先在该衬底上进行铜导线工艺，以于该衬底上形成铜导线，其具有暴露出来的上表面；对该铜导线的该暴露出来的上表面进行预清洗工艺；将经过该预清洗工艺的该铜导线的该暴露出来的上表面进行表面接触活化溶液，并进行活化处理；对该铜导线的该暴露出来的上表面在温度低于400℃以下且含有乙醇蒸汽以及载气的环境中进行原位退火工艺；以及选择性地将该金属阻障盖层以无电镀方式沉积在该铜导线的该暴露出来的上表面。
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