公开(公告)号：CN1917169A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200510092413.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈树仁 ,  许嘉麟

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明披露一种以无电镀在衬底上形成金属阻障盖层的方法，先在该衬底上进行铜导线工艺，以于该衬底上形成铜导线，其具有暴露出来的上表面；对该铜导线的该暴露出来的上表面进行预清洗工艺；将经过该预清洗工艺的该铜导线的该暴露出来的上表面进行表面接触活化溶液，并进行活化处理；对该铜导线的该暴露出来的上表面在温度低于400℃以下且含有乙醇蒸汽以及载气的环境中进行原位退火工艺；以及选择性地将该金属阻障盖层以无电镀方式沉积在该铜导线的该暴露出来的上表面。

公开(公告)号：CN1933122A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510099540.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许嘉麟 ,  方亮渊 ,  陈树仁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种导体层的制造方法，此方法先提供一基底，其中基底的表面上具有一介电层，这个介电层具有一图案化结构，并且图案化结构中暴露出导体层的一部分。然后，对基底的表面进行第一清洗步骤。接着在导体层被暴露出来的此部分表面，形成覆盖层。继而，对基底的表面进行第二清洗步骤，以去除残留于介电层表面的覆盖层。之后，对基底的表面进行干式清洗干燥步骤以清洗并干燥基底的表面。