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公开(公告)号：CN102856255A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110174511.1
申请日：2011-06-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
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公开(公告)号：CN102856255B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110174511.1
申请日：2011-06-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
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公开(公告)号：CN102738083A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN102737971A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110094323.8
申请日：2011-04-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 黄光耀 , 林俊贤 , 施宏霖 , 廖俊雄 , 李志成 , 徐韶华 , 陈奕文 , 陈正国 , 曾荣宗 , 林建廷 , 黄同雋 , 杨杰甯 , 蔡宗龙 , 廖柏瑞 , 赖建铭 , 陈映璁 , 马诚佑 , 洪文瀚 , 许哲华
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102043355A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910207008.4
申请日：2009-10-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明揭示一种移除光致抗蚀剂的方法。首先，提供基材，其包含图案化光致抗蚀剂。其次，对基材进行离子注入步骤。然后，对基材进行非氧化性前处理，其中非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件。继续，对基材进行光致抗蚀剂剥除步骤，以完全移除光致抗蚀剂。本发明既能够顺利移除光致抗蚀剂材料层，又能够同时兼顾到基材上多晶硅线路的完整性。
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公开(公告)号：CN102683282B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110057040.6
申请日：2011-03-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。
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公开(公告)号：CN102737971B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110094323.8
申请日：2011-04-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 黄光耀 , 林俊贤 , 施宏霖 , 廖俊雄 , 李志成 , 徐韶华 , 陈奕文 , 陈正国 , 曾荣宗 , 林建廷 , 黄同雋 , 杨杰甯 , 蔡宗龙 , 廖柏瑞 , 赖建铭 , 陈映璁 , 马诚佑 , 洪文瀚 , 许哲华
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
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公开(公告)号：CN102738083B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN102683282A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110057040.6
申请日：2011-03-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。
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