公开(公告)号：CN102646580A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110040219.0

申请日：2011-02-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢雅雪 ,  蔡腾群 ,  林文钦 ,  许信国 ,  黄任鹏 ,  陈志仙 ,  杨智钦 ,  吕宏源 ,  林仁杰 ,  曹玮哲

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造。该方法包括：提供上方具有包括多晶硅假栅极与介电层的栅极构造的基板；去除多晶硅假栅极而形成沟槽；形成栅极阻障层于沟槽中；形成栅极金属层于栅极阻障层的表面上并填满沟槽；利用第一反应剂来对栅极金属层进行第一平坦化工艺，用以除去部分的栅极金属层，第一反应剂对栅极金属层的蚀刻速率大于对栅极阻障层的蚀刻速率；利用第二反应剂来对栅极阻障层与栅极金属层进行第二平坦化工艺，用以除去部分的栅极阻障层与栅极金属层，第二反应剂对栅极阻障层的蚀刻速率大于对栅极金属层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN101179028B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610143398.X

申请日：2006-11-08

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李坤宪 ,  黄正同 ,  洪文瀚 ,  丁世汎 ,  郑礼贤 ,  郑子铭 ,  陈能国 ,  许绍达 ,  蔡腾群 ,  黄建中

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法。首先，提供一半导体基底，包括有一栅极结构，栅极结构具有一衬垫层位于相对的二侧壁上。之后，形成一应力覆盖层，覆盖于半导体基底、栅极结构与不具间隙壁的衬垫层上。接着，进行一活化工艺，再对应力覆盖层进行一蚀刻工艺，使应力覆盖层成为一自对准金属硅化物阻挡层。然后，进行一自对准金属硅化物工艺，以于未覆盖有应力覆盖层的区域形成一金属硅化物层。

公开(公告)号：CN100572595C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510070460.2

申请日：2005-05-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  蔡腾群 ,  廖秀莲

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种避免反应室粒子污染的化学气相沉积方法。该方法以较高的低频射频功率以及较长的工艺时间进行一反应室排空的工艺以及一预热工艺(pre-heat process)。接着于反应室室壁形成一前氧化层(pre-oxidelayer)，同时于反应室中提供一高频射频功率。并持续于反应室中提供较高的低频射频功率以维持反应室的温度，最后进行一主要氧化层(main oxidelayer)的沉积以于CVD反应室室壁上形成具有良好品质的前氧化层，从而有效解决现有技艺中反应室粒子污染的问题，进而提高晶片的成品率，并降低维护反应室的成本。

公开(公告)号：CN100468660C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610084227.4

申请日：2006-05-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  邹世芳 ,  蔡腾群 ,  黄建中

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，是先提供一基底，再于基底上形成一个金属氧化物半导体晶体管。接着，进行一道自行对准金属硅化工艺，之后对基底进行一道红外线处理，以修补前述基底中的损伤。由于上述方法能够修补前述基底中的损伤，所以可有效降低金属氧化物半导体晶体管的结漏电，进而提升良率。

公开(公告)号：CN101330022A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710111873.X

申请日：2007-06-20

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖秀莲 ,  陈能国 ,  蔡腾群 ,  陈意维

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种制作多晶硅应力层的方法、制作接触洞蚀刻停止层的方法、以及制作高张力薄膜的方法。本发明还公开了一种紫外线暨快速热处理机台。一种制作高张力薄膜的方法，该方法包括有提供表面形成有至少一晶体管的基底、在该基底表面形成多晶硅应力层、以及进行紫外线暨快速热处理工艺(ultra violate rapid thermal process，UVRTP)以硬化该多晶硅应力层，并调整该多晶硅应力层的应力作为高张力薄膜。因同时结合光子的能量与热能来调整高张力薄膜的伸张应力状态，故可在相对较短的工艺时间内或较低的温度下形成具高伸张应力的薄膜。

公开(公告)号：CN101286452A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710091742.X

申请日：2007-04-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈哲明 ,  陈能国 ,  廖秀莲 ,  蔡腾群 ,  黄建中 ,  孙世伟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。首先，提供半导体基底以及栅极结构位于半导体基底上。半导体基底具有源极区域与漏极区域，分别位于栅极结构两侧的半导体基底中。接着，在半导体基底上形成应力覆盖层并覆盖栅极结构、源极区域与漏极区域。之后，进行惰性气体处理，以改变应力覆盖层的应力值。由于本发明可轻易地调整应力覆盖层的应力值，因此单一应力覆盖层即可兼顾N型与P型金属氧化物半导体晶体管的需求。

公开(公告)号：CN101257022A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710084988.4

申请日：2007-02-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许绍达 ,  蔡腾群 ,  陈能国 ,  廖秀莲 ,  吴承翰 ,  洪文瀚

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件的制造方法，此方法包括提供基底，基底上已形成有第一导电型晶体管与第二导电型晶体管。接着在基底上形成应力层，共形地覆盖住第一与第二导电型晶体管。再在第一导电型晶体管上方的应力层上形成顶盖层。尔后进行改质处理后，再移除顶盖层。

公开(公告)号：CN101075557A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200610084818.1

申请日：2006-05-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  蔡腾群 ,  廖秀莲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供制作栅极的方法与蚀刻导电层的方法。首先，提供一基底，基底表面依序包括一介电层与一导电层。接着于导电层上形成一图案化氮硅层当作图案化硬掩模，且图案化氮硅层的氢含量高于每立方厘米1E 22原子(atoms/cm3)。随后利用图案化硬掩模当作掩模来蚀刻导电层与介电层。最后，利用一蚀刻溶液去除图案化硬掩模。

公开(公告)号：CN1819121A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510128854.9

申请日：2005-12-07

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  蔡腾群 ,  黄建中 ,  陈再富 ,  洪文瀚

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明披露一种制作超高伸张应力膜的方法，首先进行等离子体增强化学气相沉积工艺，于衬底的表面上沉积一过渡氮化硅膜，且该过渡氮化硅膜具有一第一氢原子浓度，接着对该过渡氮化硅膜进行UV照射工艺，将该过渡氮化硅膜的第一氢原子浓度降低至一第二氢原子浓度。

公开(公告)号：CN1236478C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02140151.9

申请日：2002-07-04

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许嘉麟 ,  胡绍中 ,  蔡腾群 ,  王松雄

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14

Abstract: 一种化学机械研磨的方法，是在化学机械研磨制程中，于阻障层研磨液中添加一化学助剂而变成金属层研磨液，并凭借化学助剂的添加与否调整研磨液的性质，以分别用来去除金属层与阻障层。如此可免去熟知的研磨液转换过程中清洗研磨垫所需的繁复步骤，并可避免因研磨液的差异而产生的酸碱冲击，以及因此所造成的元件缺陷等问题。