公开(公告)号：CN102881574A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110195195.6

申请日：2011-07-13

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 赖建铭 ,  陈奕文 ,  李志成 ,  黄同雋 ,  许哲华 ,  林坤贤 ,  李宗颖 ,  许启茂 ,  黄信富 ,  林进富

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

摘要： 一种半导体元件的制造方法，包括下述步骤：首先，提供具有虚设栅电极层的虚设栅极(dummy gate)结构。接着移除此虚设栅电极层，以于栅极结构中形成一个开口，将下方材料层暴露出来。然后，针对移除了虚设栅电极层的虚设栅极结构进行氢氧化氨(NH4OH)处理工艺。再以金属材料填充此开口。

公开(公告)号：CN102737971A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110094323.8

申请日：2011-04-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄光耀 ,  林俊贤 ,  施宏霖 ,  廖俊雄 ,  李志成 ,  徐韶华 ,  陈奕文 ,  陈正国 ,  曾荣宗 ,  林建廷 ,  黄同雋 ,  杨杰甯 ,  蔡宗龙 ,  廖柏瑞 ,  赖建铭 ,  陈映璁 ,  马诚佑 ,  洪文瀚 ,  许哲华

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。

公开(公告)号：CN102737971B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201110094323.8

申请日：2011-04-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄光耀 ,  林俊贤 ,  施宏霖 ,  廖俊雄 ,  李志成 ,  徐韶华 ,  陈奕文 ,  陈正国 ,  曾荣宗 ,  林建廷 ,  黄同雋 ,  杨杰甯 ,  蔡宗龙 ,  廖柏瑞 ,  赖建铭 ,  陈映璁 ,  马诚佑 ,  洪文瀚 ,  许哲华

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。