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公开(公告)号：CN102856255A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110174511.1
申请日：2011-06-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
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公开(公告)号：CN102856255B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110174511.1
申请日：2011-06-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738083A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN102737971A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110094323.8
申请日：2011-04-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 黄光耀 , 林俊贤 , 施宏霖 , 廖俊雄 , 李志成 , 徐韶华 , 陈奕文 , 陈正国 , 曾荣宗 , 林建廷 , 黄同雋 , 杨杰甯 , 蔡宗龙 , 廖柏瑞 , 赖建铭 , 陈映璁 , 马诚佑 , 洪文瀚 , 许哲华
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
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公开(公告)号：CN101369552A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710141088.9
申请日：2007-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/00 , H01L27/02 , H01L23/00
Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在第一工艺中于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，此保护方法包括在第二工艺中沿着凹陷轮廓在凹陷表面形成氮化硅层。
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公开(公告)号：CN102737971B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110094323.8
申请日：2011-04-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 黄光耀 , 林俊贤 , 施宏霖 , 廖俊雄 , 李志成 , 徐韶华 , 陈奕文 , 陈正国 , 曾荣宗 , 林建廷 , 黄同雋 , 杨杰甯 , 蔡宗龙 , 廖柏瑞 , 赖建铭 , 陈映璁 , 马诚佑 , 洪文瀚 , 许哲华
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
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公开(公告)号：CN102738083B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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