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公开(公告)号：CN112750700A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911044101.8
申请日：2019-10-30
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40
摘要： 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。
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公开(公告)号：CN102737971B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110094323.8
申请日：2011-04-15
申请人： 联华电子股份有限公司
发明人： 黄光耀 , 林俊贤 , 施宏霖 , 廖俊雄 , 李志成 , 徐韶华 , 陈奕文 , 陈正国 , 曾荣宗 , 林建廷 , 黄同雋 , 杨杰甯 , 蔡宗龙 , 廖柏瑞 , 赖建铭 , 陈映璁 , 马诚佑 , 洪文瀚 , 许哲华
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/78
摘要： 本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
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公开(公告)号：CN102738083B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110085275.6
申请日：2011-04-06
申请人： 联华电子股份有限公司
发明人： 廖柏瑞 , 蔡宗龙 , 林建廷 , 徐韶华 , 陈意维 , 黄信富 , 李宗颖 , 蔡旻錞 , 杨建伦 , 吴俊元 , 蔡腾群 , 黄光耀 , 许嘉麟 , 杨杰甯 , 陈正国 , 曾荣宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黄柏诚 , 陈奕文 , 许哲华
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28
摘要： 本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN112133739B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910553143.8
申请日：2019-06-25
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开一种高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法，其中高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，氮化铝镓层具有一伸张应力，一源极电极以及一漏极电极设置于氮化铝镓层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的氮化铝镓层上，至少一个氧化硅层埋入于氮化铝镓层中，其中氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，氧化硅层提升氮化铝镓层中的伸张应力。
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公开(公告)号：CN112750700B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201911044101.8
申请日：2019-10-30
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40
摘要： 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。
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公开(公告)号：CN107634056B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201610531514.9
申请日：2016-07-07
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的形成方法，该半导体装置包含第一及第二掺杂阱、源极区、漏极区、二栅极结构以及掺杂区。第一掺杂阱，是设置在一基底内且具有第一导电型式，而源极区则是设置在第一掺杂阱内。第二掺杂阱是设置在该基底内且邻接第一掺杂阱，第二掺杂阱具有第二导电型式，而漏极区则是设置在第二掺杂阱内。二栅极结构是设置在该基底上并位于源极区与漏极区之间。掺杂区具有第一导电型式，并且其是设置在第二掺杂阱内并位于二栅极结构之间。
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公开(公告)号：CN109390338B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201710669736.1
申请日：2017-08-08
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法。该互补式金属氧化物半导体元件包含多个主动区，沿着第一方向延伸，并沿着第一方向排列在基底上，彼此由绝缘结构区隔开，其中位于相邻主动区相邻末端之间的绝缘结构包含一凹陷区域，该凹陷区域被一包含应力的层间介电层填满。
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公开(公告)号：CN112133739A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910553143.8
申请日：2019-06-25
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开一种高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法，其中高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，氮化铝镓层具有一伸张应力，一源极电极以及一漏极电极设置于氮化铝镓层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的氮化铝镓层上，至少一个氧化硅层埋入于氮化铝镓层中，其中氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，氧化硅层提升氮化铝镓层中的伸张应力。
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公开(公告)号：CN109390338A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710669736.1
申请日：2017-08-08
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7849 , H01L21/02271 , H01L21/31053 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/66545 , H01L29/7846 , H01L29/7843 , H01L29/785
摘要： 本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法。该互补式金属氧化物半导体元件包含多个主动区，沿着第一方向延伸，并沿着第一方向排列在基底上，彼此由绝缘结构区隔开，其中位于相邻主动区相邻末端之间的绝缘结构包含一凹陷区域，该凹陷区域被一包含应力的层间介电层填满。
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公开(公告)号：CN107634056A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610531514.9
申请日：2016-07-07
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78 , H01L21/77 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0619 , H01L29/0653 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/402 , H01L29/66636 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/66689 , H01L29/66795 , H01L29/7835 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要： 本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的形成方法，该半导体装置包含第一及第二掺杂阱、源极区、漏极区、二栅极结构以及掺杂区。第一掺杂阱，是设置在一基底内且具有第一导电型式，而源极区则是设置在第一掺杂阱内。第二掺杂阱是设置在该基底内且邻接第一掺杂阱，第二掺杂阱具有第二导电型式，而漏极区则是设置在第二掺杂阱内。二栅极结构是设置在该基底上并位于源极区与漏极区之间。掺杂区具有第一导电型式，并且其是设置在第二掺杂阱内并位于二栅极结构之间。
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