发明公开
- 专利标题： 高电子迁移率晶体管及其制作方法
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申请号： CN201911044101.8申请日： 2019-10-30
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公开(公告)号： CN112750700A公开(公告)日： 2021-05-04
- 发明人: 李凯霖 , 李志成 , 陈威任
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L29/778 ; H01L29/40
摘要：
本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。
公开/授权文献
- CN112750700B 高电子迁移率晶体管及其制作方法 公开/授权日：2024-01-30
IPC分类:
