本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的形成方法，该半导体装置包含第一及第二掺杂阱、源极区、漏极区、二栅极结构以及掺杂区。第一掺杂阱，是设置在一基底内且具有第一导电型式，而源极区则是设置在第一掺杂阱内。第二掺杂阱是设置在该基底内且邻接第一掺杂阱，第二掺杂阱具有第二导电型式，而漏极区则是设置在第二掺杂阱内。二栅极结构是设置在该基底上并位于源极区与漏极区之间。掺杂区具有第一导电型式，并且其是设置在第二掺杂阱内并位于二栅极结构之间。