公开(公告)号：CN102683282B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110057040.6

申请日：2011-03-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖柏瑞 ,  蔡宗龙 ,  林建廷 ,  徐韶华 ,  吕水烟 ,  周珮玉 ,  陈信琦 ,  廖俊雄 ,  蔡尚元 ,  杨建伦 ,  蔡腾群 ,  林俊贤

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。

公开(公告)号：CN102141742A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010105786.5

申请日：2010-01-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林盈志 ,  周珮玉 ,  廖俊雄 ,  冯郅文 ,  张峰溢 ,  蔡尚元

IPC: G03F7/36

Abstract: 本发明公开一种于修整光致抗蚀剂图案的方法，以氮气做为蚀刻气体，并且以适当的蚀刻速率修整光致抗蚀剂图案，其方法如下：首先提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层，然后进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整图案化光致抗蚀剂层的边缘，最后，以修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻待蚀刻材料层。

公开(公告)号：CN102832163A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110160266.9

申请日：2011-06-15

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张峰溢 ,  林义博 ,  廖俊雄 ,  蔡尚元 ,  冯郅文 ,  吕水烟 ,  徐庆斌

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明优选披露一种形成开口的方法。该方法包括首先形成含碳的硬掩模于半导体基底表面，然后利用不含氧原子的气体对该硬掩模进行蚀刻工艺，以于该硬掩模中形成第一开口。

公开(公告)号：CN102832163B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201110160266.9

申请日：2011-06-15

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张峰溢 ,  林义博 ,  廖俊雄 ,  蔡尚元 ,  冯郅文 ,  吕水烟 ,  徐庆斌

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明优选披露一种形成开口的方法。该方法包括首先形成含碳的硬掩模于半导体基底表面，然后利用不含氧原子的气体对该硬掩模进行蚀刻工艺，以于该硬掩模中形成第一开口。

公开(公告)号：CN102683282A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110057040.6

申请日：2011-03-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖柏瑞 ,  蔡宗龙 ,  林建廷 ,  徐韶华 ,  吕水烟 ,  周珮玉 ,  陈信琦 ,  廖俊雄 ,  蔡尚元 ,  杨建伦 ,  蔡腾群 ,  林俊贤

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。