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公开(公告)号：CN1534761A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03121250.6
申请日：2003-03-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种制作双镶嵌结构(dual damascene structure)的方法。首先于一半导体晶片表面依序形成一第一介电层、一第二介电层、一第一硬罩幕层以及一第二硬罩幕层，接着于该第二硬罩幕层表面形成一用来定义一上层沟槽图案的第一光阻层。随后去除未被该第一光阻层覆盖的该第二硬罩幕层，直至该第一硬罩幕层表面，然后再于该半导体晶片表面形成一用来定义一下层接触洞图案的第二光阻层。接着去除未被该第二光阻层覆盖的该第一硬罩幕层以及该第二介电层，直至该第一介电层表面，然后蚀刻未被该第二硬罩幕层所覆盖的该第一硬罩幕层，并去除未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第二介电层至一预定深度，最后再去除该第二硬罩幕层以及未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第一介电层。
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公开(公告)号：CN1534112A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03109052.4
申请日：2003-04-02
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: C25D7/12 , C25D3/38 , C25D5/18 , H01L21/288 , H01L21/445
Abstract: 本发明提供一种改良的电镀沉积铜(Electro－Chemical Deposition Copper，ECD－Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽，一阳极，设于该电解槽内，以及一旋转平台，用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时，控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转，以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡，进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。
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公开(公告)号：CN1464534A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02147325.0
申请日：2002-10-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/68 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 一种化学机械研磨装置的晶片载具及其研磨方法。本发明的晶片载具包括一第一板件、一第二板件及一弹性膜件。第一板件具有多个凸件形成于其一底部表面及第二板件具有多个通孔贯穿于其中。每一凸件可与一通孔相卡合，以使第一卡件与第二卡件可分离地相结合。弹性膜件是装设于第二板件下方并与其接触。弹性膜件与接触第二板件的表面相对的一表面提供一晶片承载表面。
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公开(公告)号：CN1391266A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN01121173.3
申请日：2001-06-11
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/768
Abstract: 一种形成一开口于一高分子型介电层中的方法。此方法包括提供一基底，此基底上已形成有一导电结构层，一高分子型介电层。进行一热制造工艺以均匀硬化此高分子型介电层。形成一掩模层于基底上。定义掩模层及高分子型介电层以形成一开口，其中开口暴露出此高分子型介电层的一表面。进行一局部硬化制造工艺，将高分子型介电层被开口暴露的表面局部硬化。其中局部硬化制造工艺，包括利高能量光，电子束或离子束的照射源，进行局部硬化。
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公开(公告)号：CN1530471A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410006409.0
申请日：2004-02-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: C25D7/12 , C25D17/00 , H01L21/288 , H01L21/445
CPC classification number: C25D21/10 , C25D5/04 , C25D17/001 , H01L21/2885
Abstract: 本发明提供一种改良的电镀沉积铜(Electro－Chemical Deposition Copper，ECD－Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽，一阳极，设于该电解槽内，以及一旋转平台，用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时，控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转，以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡，进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1471141A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03100072.X
申请日：2003-01-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨(CMP)设备，适用于现存的制作工艺。本发明的CMP设备使用小于晶圆尺寸的细长研磨压板，所以布局可以压缩且空间可以有效的被利用，以达到高产能以及有效的生产管理，本发明提供一种CMP设备，针对不同的制作工艺利用选择各种研磨垫以及/或研浆，可以进行较有弹性的CMP制作工艺。
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公开(公告)号：CN1447393A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02156453.1
申请日：2002-12-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/768 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/31051
Abstract: 一种具有高选择比的平坦化方法，用于半导体晶圆的平坦化制程，该半导体晶圆具有一硬罩幕，一停止层设于该硬罩幕层上，及一阻障层设于该停止层上；该平坦化方法首先对该阻障层实施一第一化学机械研磨制程，使其暴露出该停止层，而后再去除该停止层；其中，该阻障层对该停止层具有一研磨选择比大于50；由于本发明于硬罩幕与阻障层间设有一停止层，并且由于该停止层的材质与该阻障层差异极大，因此可以避免习知制程中该硬罩幕因研磨选择比过低而损失过多的问题，该半导体晶圆的表面可达到高度平坦化的效果；且制程余裕也随之得以大幅增加，进而有效地控制该半导体晶圆的品质。
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公开(公告)号：CN1346148A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN00128994.2
申请日：2000-09-25
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 一种双重金属镶嵌结构的制造方法包括:提供一基底,基底上具有一绝缘层,绝缘层中具有一双重金属镶嵌式开口,在此开口中覆盖衬层与金属层,再覆盖一层顶盖层,以金属层研磨液或顶盖层研磨液进行顶盖层的化学机械研磨,将双重金属镶嵌式开口以外上方的顶盖层研磨至暴露出金属层为止,保留开口上方的顶盖层,保护开口上方的金属层,并将开口以外的金属层研磨至暴露出衬层为止,再将衬层研除,以形成一略微凸起的金属导线结构。
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公开(公告)号：CN1252336A
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN98123446.1
申请日：1998-10-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 陈学忠
IPC: B24D3/00
Abstract: 一种化学机械研磨垫,可显示研磨垫寿命,研磨垫有一研磨表面及多层颜色指示层,颜色指示层是由染色或压合嵌入于研磨表面内,各层颜色不同,距表面的深度不同,由其颜色变化来指示研磨垫的磨损程度,颜色层可由研磨垫本身染色或由性质相近的材料制成,其大小以肉眼能辨识即可,且数目不限,可位于研磨表面同一或不同的俯视位置,多层颜色指示层也可以指示剂色条来取代,其材料为氧化/还原指示剂或是酸碱指示剂。
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公开(公告)号：CN1255859C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN03100072.X
申请日：2003-01-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨(CMP)设备，适用于现存的制作工艺。本发明的CMP设备使用小于晶圆尺寸的细长研磨压板，所以布局可以压缩且空间可以有效的被利用，以达到高产能以及有效的生产管理，本发明提供一种CMP设备，针对不同的制作工艺利用选择各种研磨垫以及/或研浆，可以进行较有弹性的CMP制作工艺。
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