公开(公告)号：CN100392821C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410092324.9

申请日：2004-11-08

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 郑懿芳 ,  俞善仁 ,  陈正坤 ,  黄昱铭

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  G03F7/36

Abstract: 一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板，再以含氢等离子处理此基板，然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中，氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质，令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。

公开(公告)号：CN1773681A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200410092324.9

申请日：2004-11-08

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 郑懿芳 ,  俞善仁 ,  陈正坤 ,  黄昱铭

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  G03F7/36

Abstract: 一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板，再以含氢等离子处理此基板，然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中，氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质，令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。