公开(公告)号：CN108461400A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810150065.2

申请日：2018-02-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 佐野敦 ,  龟田贤治 ,  高泽裕真

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/66969 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。半导体器件的制造方法进行下述工序：将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序：对衬底同时供给第一氨基硅烷和氧化剂从而形成包含硅、氧、碳及氮的层的工序，和于第一温度下对层进行第一改质处理的工序；及于比第一温度高的第二温度下对膜进行第二改质处理的工序。

公开(公告)号：CN107452598A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710392474.9

申请日：2017-05-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 原田胜吉 ,  高泽裕真 ,  岛本聪 ,  八田启希

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/44

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底上的氧化膜的膜品质。在同一处理室内进行如下工序：向设为第一温度的衬底供给包含规定元素的原料，从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜的成膜工序；在包含第一含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度变更为比所述第一温度高的第二温度的升温工序；和在包含第二含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度维持为所述第二温度，从而将所述膜氧化的氧化工序。

公开(公告)号：CN102034702A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102915910B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210407086.0

申请日：2010-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102034702B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102915910A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210407086.0

申请日：2010-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。